STM32F730R8T6基于高性能Arm?Cortex?-M7 32位RISC核心,工作頻率高�216 MHz。Cortex?-M7核心具有單一浮點單元(SFPU)精度,支持Arm?單精度數(shù)�(jù)處理指令和數(shù)�(jù)類型。它還實�(xiàn)了一套完整的DSP指令和內(nèi)存保護單�(MPU),增強了�(yīng)用程序的安全�?! TM32F730R8T6集成了高速嵌入式存儲�,具�64kbytes閃存�256kbytes SRAM(包括64kbytes�(shù)�(jù)TCM RAM用于�(guān)鍵實時數(shù)�(jù))�16kbytes指令TCM RAM(用于�(guān)鍵實時例�),最低功耗模式下可用�4kbytes備份SRAM,以及廣泛的增強I/ o和外�(shè)連接到兩個APB總線,兩個AHB總線�32位多ahb總線矩陣和支持內(nèi)部和外部存儲器訪問的多層AXI互連� STM32F730R8T6提供三�12位adc,兩個dac,一個低功耗RTC, 13個通用16位定時器,包括兩個用于電機控制的PWM定時�,兩個通用32位定時器,一個真隨機�(shù)�(fā)生器(RNG)。它們還具有�(biāo)�(zhǔn)和先進的通信接口�
?核心:Arm?32位Cortex?-M7 CPU與FPU�
自適�(yīng)實時加速器(ART
加速器?)和L1-cache: 8kbytes的數(shù)�(jù)
緩存�8kb的指令緩��
允許從嵌入式�(zhí)�0等待狀�(tài)
閃存和外部存儲器�
頻率高達216 MHz, MPU�
462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)
和DSP指令�
?記憶
- 64kbytes的閃存保�
機制(讀寫保護,
專有代碼讀出保�
(PCROP))
�528字節(jié)OTP�(nèi)�
—SRAM: 256kbytes(�64kbytes�(nèi)�)
�(shù)�(jù)TCM�(nèi)存用于關(guān)鍵實時數(shù)�(jù))+
16千字節(jié)的指令TCM RAM(用于
�(guān)鍵實時例�)+ 4 kb�
備份SRAM(可在最�
電源模式)
-靈活的外部存儲控制器與up
�32位數(shù)�(jù)總線:SRAM, PSRAM�
Sdram / lpsdr Sdram, nor / nand
記憶
?雙模式Quad-SPI
時鐘,重置和供應(yīng)管理
- 1.7 V�3.6 V�(yīng)用電源和I/ o
- POR, PDR, PVD和BOR
-專用USB電源
- 4- 26 MHz晶體振蕩�
-�(nèi)�16mhz工廠修剪RC (1%
�(zhǔn)確�)
- 32 kHz振蕩器的RTC校準(zhǔn)
-�(nèi)�32 kHz RC校準(zhǔn)
?低功�
-睡眠、停止和待機模式
VBAT提供RTC, 32×32位備�
寄存�+ 4千字節(jié)的備份SRAM
商品分類 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半導(dǎo)�) |
封裝 | LQFP-64 | 包裝 | 托盤 |
�(chǎn)品應(yīng)� | 通用類MCU | 核心處理� | ARMCortex-M7 |
�(nèi)核規(guī)� | 32-� | 速度 | 216MHz |
連接能力 | CANbus,EBI/EMI,I2C,IrDA,LINbus,MMC/SD,QSPI,SAI,SPI,UART/USART,USB | 外設(shè) | 欠壓檢測/�(fù)�,DMA,I2S,POR,PWM,WDT |
I/O�(shù) | 50 | 程序存儲容量 | 64KB�64Kx8� |
程序存儲器類� | 閃存 | EEPROM容量 | - |
RAM大小 | 256Kx8 | 電壓-供電(Vcc/Vdd) | 1.7V~3.6V |
�(shù)�(jù)�(zhuǎn)換器 | A/D16x12b;D/A2x12b | 振蕩器類� | �(nèi)� |
工作溫度 | -40°C~85°C(TA� | 安裝類型 | 表面貼裝� |
基本�(chǎn)品編� | STM32F730 | HTSUS | 8542.31.0001 |
濕氣敏感性等�(MSL) | 3�168小時� | ECCN | 5A992C |
REACH狀�(tài) | 非REACH�(chǎn)� |
STM32F730R8T6原理�
STM32F730R8T6引腳�
STM32F730R8T6封裝
STM32F730R8T6絲印
STM32F730R8T6料號解釋