STP19NM50N是意法半�(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。這款器件主要�(yīng)用于需要高效率和低�(dǎo)通電阻的場景,如開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等應(yīng)�。該器件采用TO-220封裝形式,適合通過散熱片�(jìn)行高效的熱管��
STP19NM50N的最大額定電壓為500V,能夠承受較高的反向電壓,同時其最大導(dǎo)通電阻在特定條件下較低,從而減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓(Vds):500V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):19A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.3Ω(在Vgs=10V時)
總功耗(Ptot):160W
�(jié)溫范圍(Tj):-55℃至+175�
封裝形式:TO-220
STP19NM50N具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高電壓耐受能力:最大漏源電壓高�(dá)500V,適用于高壓�(huán)境下的開�(guān)�(yīng)用�
2. 低導(dǎo)通電阻:在Vgs=10V�,導(dǎo)通電阻僅�1.3Ω,有助于降低傳導(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)性能:具備較低的輸入電容和輸出電�,可�(shí)�(xiàn)快速開�(guān)操作,從而減少開�(guān)損��
4. 高可靠性:通過了嚴(yán)格的雪崩測試和短路耐量測試,確保在異常工作條件下的�(wěn)定��
5. 寬溫度范圍:�(jié)溫范圍為-55℃至+175�,適�(yīng)各種極端�(huán)境的�(yīng)用需求�
6. 熱性能�(yōu)良:采用TO-220封裝,便于安裝外部散熱片,以改善散熱效果�
STP19NM50N廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于高效能的AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換器�,作為主開關(guān)��
2. 電機(jī)�(qū)動:適用于各類電�(jī)控制電路,提供高效且可靠的開�(guān)性能�
3. �(fù)載開�(guān):用于保�(hù)后端電路免受過流或短路的影響�
4. 電池保護(hù):在電池管理系統(tǒng)中用作充放電路徑的控制開�(guān)�
5. 工業(yè)�(shè)備:包括逆變�、不間斷電源(UPS)以及其他需要高壓切換的工業(yè)�(yīng)用�
STP19NF50, IRF540N