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STPSC40065CW 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/13 9:13:04 查看 閱讀：18

STPSC40065CW 是由 STMicroelectronics（意法半導(dǎo)體）生產(chǎn)的一款 N 溝道功率 MOSFET 芯片。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，專為高效率、低功耗的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻（Rds(on)）、高擊穿電壓（V(BR)DSS）和快速開(kāi)關(guān)性能，適用于多種電源管理場(chǎng)景。
　　STPSC40065CW 常用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合。其封裝形式為 TO-220AC，具有良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性。

參數(shù)

最大漏源電壓：650V
　　連續(xù)漏極電流：4A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.3Ω（典型值，在 Vgs=10V 時(shí)）
　　柵極-源極電壓范圍：-20V 至 +20V
　　總功耗：18W
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃
　　存儲(chǔ)溫度范圍：-55℃ 至 +150℃

特性

STPSC40065CW 的主要特點(diǎn)包括：
　　1. 高擊穿電壓 (650V)，適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
　　2. 極低的導(dǎo)通電阻 (1.3Ω)，有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)性能，能夠有效減少開(kāi)關(guān)損耗。
　　4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且無(wú)鉛。
　　5. 可靠性高，經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試流程以確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
　　6. 封裝形式為 TO-220AC，便于安裝和散熱設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

STPSC400領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS），例如適配器、充電器等。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器，用于電壓調(diào)節(jié)和能量轉(zhuǎn)換。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)，尤其是小型直流電機(jī)控制。
　　4. 電子負(fù)載保護(hù)電路。
　　5. 各類工業(yè)設(shè)備中的功率管理模塊。
　　由于其出色的電氣特性和可靠性，這款芯片成為許多工程師在設(shè)計(jì)中首選的功率 MOSFET。

替代型號(hào)

STPSC40065C, IRF540N, FQP17N60

stpsc40065cw推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

stpsc40065cw參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格1 : ￥101.44000管件
  • 系列-
  • 包裝管件
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 二極管配置1 對(duì)共陰極
  • 技術(shù)SiC（Silicon Carbide）Schottky
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）650 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）20A
  • 不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)1.7 V @ 20 A
  • 速度快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）
  • 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)-
  • 不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏300 μA @ 600 V
  • 工作溫度 - 結(jié)-40°C ~ 175°C
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商器件封裝TO-247-3