STR-F6626是一款高性能的功率MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等場�。該器件采用N溝道增強(qiáng)型技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
STR-F6626通過�(yōu)化設(shè)�(jì),具備出色的熱特性和電氣特�,適用于需要高效能和穩(wěn)定性的�(yīng)用場合�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�26A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�38nC
輸入電容�1050pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效降低功率損��
2. 高電流處理能�,支持高�(dá)26A的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)行�
5. 小型封裝選項(xiàng),節(jié)省電路板空間�
6. 提供�(yōu)異的ESD保護(hù)性能,增�(qiáng)器件的抗干擾能力�
1. 開關(guān)電源及適配器�(shè)�(jì)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流功能�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率級控��
4. 各類�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
IRFZ44N
STP20NF06
FDP5800