該器件是一種基于創(chuàng)新的專有垂直工藝技�(shù)的N溝道MDmesh?V功率MOSFET,與意法半導(dǎo)體著名的PowerMESH?水平布局�(jié)�(gòu)相結(jié)合。由此產(chǎn)生的�(chǎn)品具有極低的�(dǎo)通電�,這在硅基功率MOSFET中是無與倫比�,使其特別適用于需要卓越功率密度和出色效率的應(yīng)用�
VDSS�(píng)�(jí)更高
更高的dv/dt能力
出色的切換性能
易于駕駛
100%雪崩�(cè)�
針腳�(shù)�
漏源極電阻:0.033Ω
極性:N-Channel
耗散功率�400 W
閾值電壓:4 V
漏源極電�(Vds)�650 V
連續(xù)漏極電流(Ids)�69A
上升�(shí)間:22 ns
輸入電容(Ciss)�9800pF 100V(Vds)
額定功率(Max)�400 W
下降�(shí)間:20 ns
工作溫度(Max)�150�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�400W(Tc)
安裝方式:Through Hole
引腳�(shù)�
封裝:TO-247-3
�(zhǎng)度:15.75 mm
寬度�5.15 mm
高度�20.15 mm
封裝:TO-247-3
RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free
REACH SVHC�(biāo)�(zhǔn):No SVHC
�(chǎn)品生命周期:Active
包裝方式:Tube