STW8N120K5是意法半導體(STMicroelectronics)推出的一款N溝道功率MOSFET,采用TO-247封裝形式。該器件適用于高壓開關應�,如開關電源、電機驅動和DC-DC轉換器等場景。它具有低導通電阻、高雪崩能力以及出色的熱性能,能夠滿足高效能功率轉換的需��
這款MOSFET的最大漏源電壓為1200V,具備快速開關特�,同時在高溫�(huán)境下也具有較高的可靠��
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�8A
導通電阻(Rds(on)):3.5Ω(典型�,當Vgs=15V時)
柵極電荷�55nC(典型值)
開關速度:快速恢�
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
STW8N120K5的主要特點是其高壓性能和較低的導通電阻,能夠在高壓條件下實現(xiàn)高效的功率轉�。此外,它的柵極電荷較小,有助于降低開關損�,并提高整體系統(tǒng)效率�
該器件還具有良好的熱�(wěn)定性和抗雪崩能�,使其在惡劣的工作環(huán)境中仍能保持可靠運行。其快速開關特性也有助于減少電磁干擾(EMI�,并在高頻應用中表現(xiàn)出色�
由于采用了TO-247封裝,STW8N120K5具有較好的散熱性能,便于用戶進行熱管理和設計�(yōu)化�
STW8N120K5適用于多種高壓功率轉換場�,包括但不限于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS�
2. 工業(yè)電機驅動
3. 太陽能逆變�
4. DC-DC轉換�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
6. 高壓負載切換控制
這些應用均依賴于其高耐壓能力和快速開關性能,從而實�(xiàn)更高效和可靠的電路設計�
STW8N120H5
STW8N120K6
IRFP460
FDP16N120