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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > STW8N120K5

STW8N120K5 發(fā)布時間 時間�2025/5/14 19:15:34 查看 閱讀�21

STW8N120K5是意法半導體(STMicroelectronics)推出的一款N溝道功率MOSFET,采用TO-247封裝形式。該器件適用于高壓開關應�,如開關電源、電機驅動和DC-DC轉換器等場景。它具有低導通電阻、高雪崩能力以及出色的熱性能,能夠滿足高效能功率轉換的需��
  這款MOSFET的最大漏源電壓為1200V,具備快速開關特�,同時在高溫�(huán)境下也具有較高的可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  連續(xù)漏極電流�8A
  導通電阻(Rds(on)):3.5Ω(典型�,當Vgs=15V時)
  柵極電荷�55nC(典型值)
  開關速度:快速恢�
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

STW8N120K5的主要特點是其高壓性能和較低的導通電阻,能夠在高壓條件下實現(xiàn)高效的功率轉�。此外,它的柵極電荷較小,有助于降低開關損�,并提高整體系統(tǒng)效率�
  該器件還具有良好的熱�(wěn)定性和抗雪崩能�,使其在惡劣的工作環(huán)境中仍能保持可靠運行。其快速開關特性也有助于減少電磁干擾(EMI�,并在高頻應用中表現(xiàn)出色�
  由于采用了TO-247封裝,STW8N120K5具有較好的散熱性能,便于用戶進行熱管理和設計�(yōu)化�

應用

STW8N120K5適用于多種高壓功率轉換場�,包括但不限于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS�
  2. 工業(yè)電機驅動
  3. 太陽能逆變�
  4. DC-DC轉換�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  6. 高壓負載切換控制
  這些應用均依賴于其高耐壓能力和快速開關性能,從而實�(xiàn)更高效和可靠的電路設計�

替代型號

STW8N120H5
  STW8N120K6
  IRFP460
  FDP16N120

stw8n120k5推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

stw8n120k5參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格1 : �63.60000管件
  • 系列MDmesh? K5
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�1200 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)6A(Tc�
  • 驅動電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)2 歐姆 @ 2.5A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)13.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)505 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)130W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應商器件封�TO-247
  • 封裝/外殼TO-247-3