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STWA88N65M5 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 20:05:55 查看 閱讀�34

STWA88N65M5是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款高壓MOSFET,屬于MDmesh? M5技�(shù)系列。該器件采用TO-247封裝,廣泛用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用中。這款MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和高雪崩能�,能夠在高頻和高電壓條件下提供高效的性能�
  STWA88N65M5的額定電壓為650V,額定電流為8.8A(在VGS=10V�(shí)),具備出色的開�(guān)特性和熱穩(wěn)定�。其典型�(yīng)用場景包括工�(yè)控制、消�(fèi)電子�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊以及太陽能逆變器等�

參數(shù)

類型:N溝道MOSFET
  額定電壓�650V
  額定電流�8.8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):390mΩ(最大�,@Vgs=10V,Tj=25°C�
  柵極電荷(Qg):28nC(典型值)
  輸入電容(Ciss):1450pF(典型值)
  輸出電容(Coss):160pF(典型值)
  開關(guān)速度:快速恢�(fù)
  工作�(jié)溫范圍:-55°C�+175°C
  封裝形式:TO-247

特�

STWA88N65M5采用了MDmesh? M5技�(shù),通過�(yōu)化單元結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)來降低導(dǎo)通電阻并提高雪崩能力。以下是一些關(guān)鍵特性:
  1. 低導(dǎo)通電阻:即使在高電壓條件�,也能夠保持較低的Rds(on),從而減少導(dǎo)通損��
  2. 高雪崩能力:增強(qiáng)的雪崩擊穿能力使其能夠在過載或短路情況下更可靠地�(yùn)��
  3. 快速開�(guān)性能:低柵極電荷和輸出電容確保了更快的開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
  4. 耐熱增強(qiáng):優(yōu)化的散熱�(shè)�(jì)允許更高的連續(xù)工作溫度范圍�
  5. �(wěn)定性好:在寬廣的工作溫度范圍內(nèi)具有�(yōu)異的電氣特性穩(wěn)定��
  這些特點(diǎn)使得STWA88N65M5非常適合于需要高效功率轉(zhuǎn)換和可靠性的各種�(yīng)用場��

�(yīng)�

STWA88N65M5適用于多種電力電子系�(tǒng),主要包括以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):
   - 反激式變換器
   - 正激式變換器
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器�
   - 降壓和升壓拓?fù)?br>   - 同步整流電路
  3. 逆變器:
   - 太陽能微逆變�
   - 小型不間斷電源(UPS�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
   - 工業(yè)伺服�(qū)�(dòng)�
   - 家用電器中的�(fēng)扇和泵控�
  5. 充電器:
   - 筆記本電腦適配器
   - 電動(dòng)車充電裝�
  其高壓和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)使它成為上述�(yīng)用的理想選擇�

替代型號

STW11N65M5
  STW16N65M5
  STW24N65M5

stwa88n65m5推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

stwa88n65m5參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �148.42000管件
  • 系列MDmesh? V
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�650 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)84A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)29 毫歐 @ 42A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)204 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)8825 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)450W(Tc�
  • 工作溫度150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-247-3
  • 封裝/外殼TO-247-3