SUP85N10是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于開關電源、電機驅動、負載開關等場景。這款器件以其低導通電阻和高電流能力著�,適用于多種功率轉換和控制應�。該芯片采用了TO-220封裝形式,能夠提供出色的散熱性能�
最大漏源電壓:100V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�85A
導通電阻:2.4mΩ
總功耗:160W
結溫范圍�-55℃至175�
SUP85N10具備以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻(Rds(on))確保了在大電流應用場景下的高效運行�
2. 高擊穿電壓允許其在較高電壓條件下�(wěn)定工��
3. 快速開關速度,減少開關損��
4. 內置反向二極管,有助于提高電路可靠��
5. 良好的熱�(wěn)定性使其能夠在極端溫度范圍內可靠運行�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設計�
這些特性使得SUP85N10成為高效率功率轉換的理想選擇�
該MOSFET主要應用于以下幾個領域:
1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關元件�
2. 工業(yè)電機驅動及控制�
3. 電池管理系統中的負載開關�
4. 電動車充電設備中的功率管理�
5. 各類DC/DC轉換��
SUP85N10憑借其卓越的性能,在上述應用中表現出�,能夠滿足高功率密度和高效能的需��
IRF840, STP85N10