時間：2025/5/7 13:39:32
閱讀：26
SUP85N10是一款N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），廣泛應用于開關電源、電機驅動、負載開關等場景。這款器件以其低導通電阻和高電流能力著稱，適用于多種功率轉換和控制應用。該芯片采用了TO-220封裝形式，能夠提供出色的散熱性能。
最大漏源電壓：100V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：85A
導通電阻：2.4mΩ
總功耗：160W
結溫范圍：-55℃至175℃
SUP85N10具備以下顯著特點：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)）確保了在大電流應用場景下的高效運行。
2. 高擊穿電壓允許其在較高電壓條件下穩(wěn)定工作。
3. 快速開關速度，減少開關損耗。
4. 內置反向二極管，有助于提高電路可靠性。
5. 良好的熱穩(wěn)定性使其能夠在極端溫度范圍內可靠運行。
6. 符合RoHS標準，環(huán)保無鉛設計。
這些特性使得SUP85N10成為高效率功率轉換的理想選擇。
該MOSFET主要應用于以下幾個領域：
1. 開關模式電源（SMPS）中的主開關元件。
2. 工業(yè)電機驅動及控制。
3. 電池管理系統中的負載開關。
4. 電動車充電設備中的功率管理。
5. 各類DC/DC轉換器。
SUP85N10憑借其卓越的性能，在上述應用中表現出色，能夠滿足高功率密度和高效能的需求。
IRF840, STP85N10
