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SURA8120T3G 發(fā)布時間 時間:2025/5/8 18:09:35 查看 閱讀:30

SURA8120T3G是一款基于硅技術(shù)的高性能功率MOSFET,主要應(yīng)用于高效率開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等領(lǐng)域。該器件采用先進的溝槽式結(jié)構(gòu)設(shè)計,能夠顯著降低導(dǎo)通電阻,同時具備良好的開關(guān)特性和熱性能。其封裝形式為TO-220,具有較高的電流承載能力和散熱能力。
  這款MOSFET的最大特點是低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度,能夠在高頻工作條件下保持高效的功率轉(zhuǎn)換。此外,它還具備反向恢復(fù)電荷小的特點,適合于對效率要求較高的應(yīng)用場景。

參數(shù)

最大漏源電壓:80V
  最大連續(xù)漏極電流:120A
  導(dǎo)通電阻(典型值):3.5mΩ
  柵極電荷:75nC
  反向恢復(fù)時間:45ns
  工作結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃

特性

SURA8120T3G采用了先進的制造工藝和技術(shù),具備以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻應(yīng)用,從而可以減小無源元件的體積和重量。
  3. 高電流處理能力,使其適用于大功率場景。
  4. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,即使在極端溫度條件下也能保持穩(wěn)定性能。
  5. 封裝兼容性良好,便于集成到現(xiàn)有的電路設(shè)計中。
  6. 具備較強的抗雪崩能力,增強了器件的可靠性。

應(yīng)用

SURA8120T3G廣泛應(yīng)用于多種電力電子領(lǐng)域,包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源(SMPS),用于計算機、通信設(shè)備和其他電子產(chǎn)品的供電。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器,適用于汽車電子、工業(yè)自動化等需要高效電壓轉(zhuǎn)換的場合。
  3. 電機驅(qū)動,特別適合于電動工具、家用電器和工業(yè)電機控制。
  4. 能量回收系統(tǒng),例如太陽能逆變器中的功率調(diào)節(jié)模塊。
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用于保護和管理鋰電池組或其他類型的儲能裝置。

替代型號

SURA8120T3,
  SIRA8120T3,
  SIRA8120T3G

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sura8120t3g參數(shù)

  • 標準包裝5,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭單二極管/整流器
  • 系列-
  • 二極管類型標準
  • 電壓 - (Vr)(最大)200V
  • 電流 - 平均整流 (Io)1A
  • 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大)875mV @ 1A
  • 速度快速恢復(fù) = 200mA(Io)
  • 反向恢復(fù)時間(trr)35ns
  • 電流 - 在 Vr 時反向漏電2µA @ 200V
  • 電容@ Vr, F-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼DO-214AC,SMA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SMA
  • 包裝帶卷 (TR)