SURA8120T3G 時間：2025/5/8 18:09:35 閱讀：30

SURA8120T3G是一款基于硅技術(shù)的高性能功率MOSFET，主要應(yīng)用于高效率開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等領(lǐng)域。該器件采用先進的溝槽式結(jié)構(gòu)設(shè)計，能夠顯著降低導(dǎo)通電阻，同時具備良好的開關(guān)特性和熱性能。其封裝形式為TO-220，具有較高的電流承載能力和散熱能力。
　　這款MOSFET的最大特點是低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度，能夠在高頻工作條件下保持高效的功率轉(zhuǎn)換。此外，它還具備反向恢復(fù)電荷小的特點，適合于對效率要求較高的應(yīng)用場景。

參數(shù)

最大漏源電壓：80V
　　最大連續(xù)漏極電流：120A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：3.5mΩ
　　柵極電荷：75nC
　　反向恢復(fù)時間：45ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃

特性

SURA8120T3G采用了先進的制造工藝和技術(shù)，具備以下關(guān)鍵特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 快速的開關(guān)速度，支持高頻應(yīng)用，從而可以減小無源元件的體積和重量。
　　3. 高電流處理能力，使其適用于大功率場景。
　　4. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，即使在極端溫度條件下也能保持穩(wěn)定性能。
　　5. 封裝兼容性良好，便于集成到現(xiàn)有的電路設(shè)計中。
　　6. 具備較強的抗雪崩能力，增強了器件的可靠性。

應(yīng)用

SURA8120T3G廣泛應(yīng)用于多種電力電子領(lǐng)域，包括但不限于以下方面：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS），用于計算機、通信設(shè)備和其他電子產(chǎn)品的供電。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器，適用于汽車電子、工業(yè)自動化等需要高效電壓轉(zhuǎn)換的場合。
　　3. 電機驅(qū)動，特別適合于電動工具、家用電器和工業(yè)電機控制。
　　4. 能量回收系統(tǒng)，例如太陽能逆變器中的功率調(diào)節(jié)模塊。
　　5. 電池管理系統(tǒng)（BMS），用于保護和管理鋰電池組或其他類型的儲能裝置。