SWD2N60是一款高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(chǎng)景。該器件采用了先�(jìn)的DMOS工藝,具有低�(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�(diǎn)�
其封裝形式通常為TO-220或TO-247,適用于高功率密度的�(shè)�(jì)需��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�2A
�(dǎo)通電阻:5.5Ω
柵極閾值電壓:3V~5V
總功耗:12W
工作溫度范圍�-55℃~+150�
SWD2N60的高擊穿電壓使其能夠在惡劣的工作�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�。同�(shí),較低的�(dǎo)通電阻可以有效減少導(dǎo)通損�,提高整體效��
此外,該器件還具備優(yōu)秀的開�(guān)性能,能夠滿足高頻應(yīng)用的需�。其封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱性能,從而延�(zhǎng)了器件的使用壽命�
由于其緊湊的尺寸和高性能表現(xiàn),SWD2N60非常適合用于需要高效能和小體積的應(yīng)用場(chǎng)��
SWD2N60廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路、電磁閥控制以及光伏逆變器等�(lǐng)��
在這些�(yīng)用中,它憑借高耐壓能力和低損耗特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠��
特別是在汽車電子、工�(yè)自動(dòng)化和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,SWD2N60得到了越來越多的�(yīng)用�
FDP028N60
IRF640
STP2N60F