T14L256A-15J 是一款高速靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM),主要用于需要快速數(shù)據(jù)訪問(wèn)和臨時(shí)存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景。該芯片采用先進(jìn)的CMOS工藝制造,具有低功耗、高可靠性和快速讀寫(xiě)速度的特點(diǎn)。其設(shè)計(jì)適用于工業(yè)控制、通信設(shè)備、消費(fèi)電子以及嵌入式系統(tǒng)等對(duì)性能要求較高的應(yīng)用領(lǐng)域。
該型號(hào)的 SRAM 提供了 256K x 18 的存儲(chǔ)容量,支持字節(jié)或字寬度的數(shù)據(jù)訪問(wèn)方式,并且集成了多種保護(hù)功能以確保數(shù)據(jù)的安全性和穩(wěn)定性。
存儲(chǔ)容量:256K x 18位
工作電壓:1.7V 至 1.9V
訪問(wèn)時(shí)間:15ns
數(shù)據(jù)保持時(shí)間:無(wú)限(在電源供電下)
封裝類(lèi)型:FBGA 100引腳
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
接口類(lèi)型:同步接口
輸入/輸出負(fù)載:12pF
典型功耗:300mW(工作模式),<5μW(掉電模式)
T14L256A-15J 提供了極快的訪問(wèn)速度,能夠滿(mǎn)足實(shí)時(shí)處理需求。其 15ns 的訪問(wèn)時(shí)間使得它非常適合用于高性能計(jì)算環(huán)境。
芯片內(nèi)置了自動(dòng)省電模式,在非活動(dòng)狀態(tài)下可以顯著降低功耗,延長(zhǎng)系統(tǒng)的待機(jī)時(shí)間。
此外,這款 SRAM 支持單周期讀寫(xiě)操作,從而提高了數(shù)據(jù)吞吐量和整體效率。
為增強(qiáng)可靠性,該芯片還采用了先進(jìn)的糾錯(cuò)機(jī)制,能夠在檢測(cè)到錯(cuò)誤時(shí)進(jìn)行自我修復(fù)。
最后,其寬泛的工作溫度范圍使其能夠在各種極端環(huán)境下正常運(yùn)行,適合戶(hù)外設(shè)備或工業(yè)級(jí)應(yīng)用場(chǎng)景。
T14L256A-15J 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中的緩存模塊。
2. 網(wǎng)絡(luò)路由器和交換機(jī)中的數(shù)據(jù)緩沖區(qū)。
3. 醫(yī)療成像設(shè)備的數(shù)據(jù)暫存單元。
4. 高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)。
5. 嵌入式處理器的外部擴(kuò)展存儲(chǔ)器。
6. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品如打印機(jī)、掃描儀等需要快速數(shù)據(jù)交換的場(chǎng)合。
T14L256A-12J, T14L256A-10J