TF050N02M是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),適用于高頻和高效率開(kāi)�(guān)�(yīng)�。該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和高擊穿電壓等特�,廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及可再生能源系�(tǒng)等領(lǐng)��
這款芯片�(shè)�(jì)緊湊,能夠顯著提升功率密�,并降低系統(tǒng)能�。其卓越的性能使其成為傳統(tǒng)硅基MOSFET的理想替代方案�
型號(hào):TF050N02M
類型:增�(qiáng)型氮化鎵�(chǎng)效應(yīng)晶體�
耐壓�200V
�(dǎo)通電阻:50mΩ
柵極電荷�5nC
漏極電流�10A
封裝形式:TO-263
工作溫度范圍�-40℃至+125�
最大開(kāi)�(guān)頻率�5MHz
TF050N02M采用了先�(jìn)的氮化鎵材料,具備以下主要特�(diǎn)�
1. 高擊穿電壓(200V),確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(50mΩ�,從而減少傳�(dǎo)損耗并提高整體效率�
3. 快速的�(kāi)�(guān)速度與小柵極電荷�5nC�,有助于降低�(kāi)�(guān)損耗�
4. 支持高達(dá)5MHz的工作頻�,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
5. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)保持性能一致��
6. 緊湊型封裝(TO-263),便于安裝并節(jié)省PCB空間�
這些特性使得TF050N02M非常適合要求高效�、小體積的現(xiàn)代電子設(shè)��
TF050N02M因其出色的性能而被廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),如AC-DC適配器和USB-PD快充��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中用于高效能量傳��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,特別是在需要快速響�(yīng)的無(wú)刷直流電�(jī)控制��
4. 可再生能源系�(tǒng)的逆變器和電池管理系統(tǒng)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻開(kāi)�(guān)模塊�
由于其支持高頻操作和高效率的特點(diǎn),這款芯片是許多高性能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
TGF20050L, EPC2016C