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TF050N02M 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 15:42:41 查看 閱讀�29

TF050N02M是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),適用于高頻和高效率開(kāi)�(guān)�(yīng)�。該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和高擊穿電壓等特�,廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及可再生能源系�(tǒng)等領(lǐng)��
  這款芯片�(shè)�(jì)緊湊,能夠顯著提升功率密�,并降低系統(tǒng)能�。其卓越的性能使其成為傳統(tǒng)硅基MOSFET的理想替代方案�

參數(shù)

型號(hào):TF050N02M
  類型:增�(qiáng)型氮化鎵�(chǎng)效應(yīng)晶體�
  耐壓�200V
  �(dǎo)通電阻:50mΩ
  柵極電荷�5nC
  漏極電流�10A
  封裝形式:TO-263
  工作溫度范圍�-40℃至+125�
  最大開(kāi)�(guān)頻率�5MHz

特�

TF050N02M采用了先�(jìn)的氮化鎵材料,具備以下主要特�(diǎn)�
  1. 高擊穿電壓(200V),確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(50mΩ�,從而減少傳�(dǎo)損耗并提高整體效率�
  3. 快速的�(kāi)�(guān)速度與小柵極電荷�5nC�,有助于降低�(kāi)�(guān)損耗�
  4. 支持高達(dá)5MHz的工作頻�,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  5. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)保持性能一致��
  6. 緊湊型封裝(TO-263),便于安裝并節(jié)省PCB空間�
  這些特性使得TF050N02M非常適合要求高效�、小體積的現(xiàn)代電子設(shè)��

�(yīng)�

TF050N02M因其出色的性能而被廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),如AC-DC適配器和USB-PD快充��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中用于高效能量傳��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,特別是在需要快速響�(yīng)的無(wú)刷直流電�(jī)控制��
  4. 可再生能源系�(tǒng)的逆變器和電池管理系統(tǒng)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻開(kāi)�(guān)模塊�
  由于其支持高頻操作和高效率的特點(diǎn),這款芯片是許多高性能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

TGF20050L, EPC2016C

tf050n02m推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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