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TF110P04M 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/10 19:21:40 查看 閱讀:24

TF110P04M 是一款基于溝槽技術(shù)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性和高電流處理能力,適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流、電源管理模塊以及負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。通過優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì),TF110P04M 在提高效率的同時(shí)降低了功耗。
  該 MOSFET 使用了先進(jìn)的封裝技術(shù),確保其在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性能,并具備良好的散熱特性。

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流:110A
  導(dǎo)通電阻(典型值):0.5mΩ
  柵極電荷:26nC
  開關(guān)速度:快速
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃
  封裝形式:TO-247

特性

TF110P04M 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠顯著降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷,使得其在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
  3. 高額定電流能力,支持大功率應(yīng)用場景。
  4. 寬工作溫度范圍,能夠在極端環(huán)境下保持可靠性。
  5. 先進(jìn)的封裝技術(shù)提供了出色的熱管理和電氣性能。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。
  這款功率 MOSFET 特別適合需要高效能和高可靠性的電力電子設(shè)備。

應(yīng)用

TF110P04M 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電源:如服務(wù)器電源、通信電源、不間斷電源 (UPS) 等。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于電動(dòng)工具、家用電器和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備。
  3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器:特別是在高功率密度的應(yīng)用場景下。
  4. 同步整流:作為高效的整流元件替代傳統(tǒng)二極管。
  5. 負(fù)載開關(guān):用于電池管理系統(tǒng)或保護(hù)電路。
  6. 新能源領(lǐng)域:例如太陽能逆變器和電動(dòng)車充電裝置。
  其高電流承載能力和快速開關(guān)特性使其成為這些高性能應(yīng)用的理想選擇。

替代型號(hào)

IRFP2907Z
  FDP158N04S
  STP110N4LLH5

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