TK50P03M1 時間：2025/5/30 10:21:22 閱讀：5

TK50P03M1是一種高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等高效率電力轉(zhuǎn)換場景。該器件采用了先進的溝槽式工藝技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)特性，能夠顯著提升系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。
　　TK50P03M1的設(shè)計注重低損耗和高可靠性，使其成為許多工業(yè)及消費電子領(lǐng)域中的理想選擇。

參數(shù)

類型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源電壓(Vds)：50V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　持續(xù)漏極電流(Id)：30A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：3mΩ
　　總柵極電荷(Qg)：80nC
　　輸入電容(Ciss)：3300pF
　　輸出電容(Coss)：650pF
　　開關(guān)速度：Fast

特性

1. 采用溝槽式結(jié)構(gòu)設(shè)計，提供超低的導(dǎo)通電阻Rds(on)，從而減少導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 支持大電流操作，額定漏極電流高達(dá)30A，適合多種高功率應(yīng)用場景。
　　3. 具有快速開關(guān)能力，總柵極電荷Qg較小，能夠降低開關(guān)損耗。
　　4. 內(nèi)部集成ESD保護電路，增強器件的抗靜電能力，提高了其在惡劣環(huán)境下的可靠性。
　　5. 封裝形式緊湊，便于PCB布局和散熱管理。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛設(shè)計。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件。
　　3. 電動工具、家用電器及其他設(shè)備中的電機驅(qū)動。
　　4. 汽車電子中的負(fù)載開關(guān)和保護電路。
　　5. 工業(yè)控制領(lǐng)域的逆變器和變頻器。
　　6. 高效能量管理系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)單元。