時間：2025/5/30 15:40:56
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TLRP3A30CR050FTE 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先進(jìn)的制造工藝設(shè)計。該芯片廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及各類開關(guān)電路中。其出色的導(dǎo)通電阻和開關(guān)性能使其成為高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。
此器件(on)）和優(yōu)化的柵極電荷特性，能夠在高頻工作條件下提供更高的效率和更低的功耗。同時，它具有強(qiáng)大的抗雪崩能力，能夠承受瞬態(tài)過壓情況下的能量沖擊。
類型：N溝道 MOSFET
最大漏源電壓(Vdss)：30V
最大連續(xù)漏電流(Id)：3.4A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：5mΩ
柵極閾值電壓(Vgs(th))：2.5V
總柵極電荷(Qg)：15nC
功耗(PD)：78W
工作溫度范圍(TJ)：-55℃ to 175℃
TLRP3A30CR050FTE 的主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻和優(yōu)秀的開關(guān)性能，這使得它在高效能需求的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外，它還具有以下特性：
1. 極低的 Rds(on)，有助于降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)速度，減少開關(guān)損耗，特別適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
3. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)器件在異常條件下的耐用性。
4. 小型化封裝設(shè)計，節(jié)省 PCB 空間。
5. 寬廣的工作溫度范圍，適應(yīng)多種環(huán)境需求。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
該功率 MOSFET 可用于多種領(lǐng)域，包括但不限于以下方面：
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. 電機(jī)驅(qū)動電路中的功率級控制。
3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. 各類消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源管理單元。
TLRP3A30CR050FTE 憑借其卓越的性能表現(xiàn)，在上述應(yīng)用中提供了可靠的解決方案。
IRLRP3A30CR,
STRLP3A30CR,
FDP3A30CR
