TP5N05是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件主要應用于開�(guān)電源、電機驅(qū)動、負載開�(guān)以及其他需要高頻切換和低導通損耗的場景。TP5N05以其低導通電阻和快速開�(guān)速度而著�,適合多種功率管理應用�
TP5N05采用了TO-252/DPAK封裝形式,這使得它在小型化�(shè)計中具有較高的散熱性能和空間利用率�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�5A
導通電阻(Rds(on)):17mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
總功耗:1.3W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
柵極電荷�26nC(典型值)
反向恢復時間�14ns(典型值)
1. 低導通電阻(Rds(on)),可有效減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,適用于高頻應用�(huán)��
3. 高雪崩擊穿能�,提供更可靠的保護功��
4. 具備低輸入和輸出電容,有助于降低開關(guān)損��
5. 封裝采用DPAK形式,具有良好的散熱性能和機械穩(wěn)定性�
6. 工作溫度范圍寬廣,適應各種惡劣環(huán)境條��
1. 開關(guān)電源中的同步整流和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 電機�(qū)動電�,特別是小型直流電機控制�
3. 各種負載開關(guān)和保護電��
4. 可攜式電子設(shè)備中的電池管理模��
5. 通信�(shè)備中的信號切換和功率�(diào)節(jié)�
6. 汽車電子系統(tǒng)的功率管理部分,如車載充電器��
IRLZ44N, AO3400, FDN340P