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TPS1100PWR 發(fā)布時間 時間�2023/7/5 14:22:30 查看 閱讀�962

描述

TPS1100PWR是單P溝道增強型MOSFET。該器件已通過德州儀器LinBiCMOSTM工藝針對電池供電系統(tǒng)中的3V�5V配電進行了優(yōu)化。憑�-1.5V的最大VGS(th)和僅�0.5uA的IDSS,TPS1100PWR是低壓便攜式電池管理系統(tǒng)的理想高邊開�(guān),其中最大限度地延長電池壽命是首要考慮因素。低rDS(on)和出色的交流特�(典型上升時間�10ns)使TPS1100PWR成為低壓開關(guān)�(yīng)用的合理選擇,例如用于脈寬調(diào)�(PWM)控制器或電機/橋驅(qū)動器的電源開�(guān)。超薄薄型收縮小外形封裝或TSSOP(PW)版本具有更小的占位面積和更低的高�,適用于其他P溝道MOSFET無法做到的地方。在電路板空間非常寶貴且高度限制不允許小外形集成電路(SOIC)封裝的情況下,尺寸優(yōu)勢尤其重要�

�(chǎn)品概�

制造商德州儀�
制造商�(chǎn)品編�TPS1100PWR
供應(yīng)�德州儀�
描述MOSFET P-CH 15V 1.27A 8TSSOP
詳細描述表面貼裝� P 通道 15 V 1.27A(Ta) 504mW(Ta) 8-TSSOP
類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FET,MOSFET-單�
工作溫度-40°C~150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝�
供應(yīng)商器件封�8-TSSOP
封裝/外殼8-TSSOP(0.173"�4.40mm�)
基本�(chǎn)品編�TPS1100

�(chǎn)品圖�

TPS1100PWR

TPS1100PWR

�(guī)格參�(shù)

零件狀�(tài)在售
FET類型P通道
技�(shù)MOSFET(金屬氧化�)
漏源電壓(Vdss)15�
25°C時電�-連續(xù)漏極(Id)1.27A(Ta)
�(qū)動電�(最大RdsOn,最小RdsOn)2.7V,10V
不同Id、Vgs時導(dǎo)通電�(最大�)180毫歐@1.5A�10V
不同Id時Vgs(th)(最大�)1.5V@250μA
不同Vgs時柵極電�(Qg)(最大�)5.45nC@10V
Vgs(最大�)+2V�-15V
功率耗散(最大�)504mW(Ta)
�/�TSSOP
引腳�(shù)8
連續(xù)漏極電流(ID)1.27�
目前評級-1.27mA
漏源擊穿電壓-15�
漏源電阻180毫歐
漏源電壓(Vdss)15�
柵源電壓(Vgs)2�
最高工作溫�125�
最大功�504兆瓦
最低工作溫�-40�
元素�(shù)1
打包卷帶
功�504兆瓦
最大Rds180毫歐
上升時間10納秒
�(guān)斷延遲時�13納秒
開啟延遲時間4.5納秒
額定電壓(直流)-15�
高度1.2毫米
長度3毫米
厚度1毫米
寬度4.4毫米

�(huán)境與出口分類

屬�描述
RoHS狀�(tài)符合ROHS3�(guī)�
濕氣敏感性等�(MSL)1(無限)
REACH狀�(tài)非REACH�(chǎn)�
無鉛無鉛
輻射硬化

特點

  • 低rDS(on)VGS=-10V時為0.18典型�

  • 3V兼容

  • 不需要外部VCC

  • TTL和CMOS兼容輸入

  • VGS(th)=-1.5V最大�

  • 提供超薄TSSOP封裝(PW)

  • ESD保護高達2kV,符合MIL-STD-883C,方�3015

�(yīng)用領(lǐng)�

  • 筆記本電�

  • 個人�(shù)字助�(PDA)

  • 蜂窩電話

  • PCMCIA�

引腳�

CAD模型

TPS1100PWR 3D模型

TPS1100PWR 3D模型

封裝

TPS1100PWR封裝

TPS1100PWR封裝

替代型號

型號
制造商
品名
描述
TPS1100PW德州儀�MOS�TSSOP P-Channel -15V 1.27A
TPS1100PWG4德州儀�MOS�TSSOP P-Channel 15V 1.27A
TPS1100PWRG4德州儀�MOS�TSSOP P-Channel 15V 1.27A

tps1100pwr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

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tps1100pwr圖片

tps1100pwr

tps1100pwr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)15V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.27A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫歐 @ 1.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs5.45nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�504mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-TSSOP�0.173"�4.40mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-TSSOP
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱296-13383-6