TPS1100PWR是單P溝道增強型MOSFET。該器件已通過德州儀器LinBiCMOSTM工藝針對電池供電系統(tǒng)中的3V�5V配電進行了優(yōu)化。憑�-1.5V的最大VGS(th)和僅�0.5uA的IDSS,TPS1100PWR是低壓便攜式電池管理系統(tǒng)的理想高邊開�(guān),其中最大限度地延長電池壽命是首要考慮因素。低rDS(on)和出色的交流特�(典型上升時間�10ns)使TPS1100PWR成為低壓開關(guān)�(yīng)用的合理選擇,例如用于脈寬調(diào)�(PWM)控制器或電機/橋驅(qū)動器的電源開�(guān)。超薄薄型收縮小外形封裝或TSSOP(PW)版本具有更小的占位面積和更低的高�,適用于其他P溝道MOSFET無法做到的地方。在電路板空間非常寶貴且高度限制不允許小外形集成電路(SOIC)封裝的情況下,尺寸優(yōu)勢尤其重要�
制造商 | 德州儀� |
制造商�(chǎn)品編� | TPS1100PWR |
供應(yīng)� | 德州儀� |
描述 | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8TSSOP |
詳細描述 | 表面貼裝� P 通道 15 V 1.27A(Ta) 504mW(Ta) 8-TSSOP |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FET,MOSFET-單� |
工作溫度 | -40°C~150°C(TJ) |
安裝類型 | 表面貼裝� |
供應(yīng)商器件封� | 8-TSSOP |
封裝/外殼 | 8-TSSOP(0.173"�4.40mm�) |
基本�(chǎn)品編� | TPS1100 |
TPS1100PWR
零件狀�(tài) | 在售 |
FET類型 | P通道 |
技�(shù) | MOSFET(金屬氧化�) |
漏源電壓(Vdss) | 15� |
25°C時電�-連續(xù)漏極(Id) | 1.27A(Ta) |
�(qū)動電�(最大RdsOn,最小RdsOn) | 2.7V,10V |
不同Id、Vgs時導(dǎo)通電�(最大�) | 180毫歐@1.5A�10V |
不同Id時Vgs(th)(最大�) | 1.5V@250μA |
不同Vgs時柵極電�(Qg)(最大�) | 5.45nC@10V |
Vgs(最大�) | +2V�-15V |
功率耗散(最大�) | 504mW(Ta) |
�/� | TSSOP |
引腳�(shù) | 8 |
連續(xù)漏極電流(ID) | 1.27� |
目前評級 | -1.27mA |
漏源擊穿電壓 | -15� |
漏源電阻 | 180毫歐 |
漏源電壓(Vdss) | 15� |
柵源電壓(Vgs) | 2� |
最高工作溫� | 125� |
最大功� | 504兆瓦 |
最低工作溫� | -40� |
元素�(shù) | 1 |
打包 | 卷帶 |
功� | 504兆瓦 |
最大Rds | 180毫歐 |
上升時間 | 10納秒 |
�(guān)斷延遲時� | 13納秒 |
開啟延遲時間 | 4.5納秒 |
額定電壓(直流) | -15� |
高度 | 1.2毫米 |
長度 | 3毫米 |
厚度 | 1毫米 |
寬度 | 4.4毫米 |
屬� | 描述 |
RoHS狀�(tài) | 符合ROHS3�(guī)� |
濕氣敏感性等�(MSL) | 1(無限) |
REACH狀�(tài) | 非REACH�(chǎn)� |
無鉛 | 無鉛 |
輻射硬化 | � |
低rDS(on)VGS=-10V時為0.18典型�
3V兼容
不需要外部VCC
TTL和CMOS兼容輸入
VGS(th)=-1.5V最大�
提供超薄TSSOP封裝(PW)
ESD保護高達2kV,符合MIL-STD-883C,方�3015
筆記本電�
個人�(shù)字助�(PDA)
蜂窩電話
PCMCIA�
TPS1100PWR 3D模型
TPS1100PWR封裝
型號 | 制造商 | 品名 | 描述 |
TPS1100PW | 德州儀� | MOS� | TSSOP P-Channel -15V 1.27A |
TPS1100PWG4 | 德州儀� | MOS� | TSSOP P-Channel 15V 1.27A |
TPS1100PWRG4 | 德州儀� | MOS� | TSSOP P-Channel 15V 1.27A |