TRPGR30ENATGA是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用TO-263封裝形式。該器件主要�(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器等需要高效能和高可靠性的場景�。其�(shè)計目�(biāo)是提供低�(dǎo)通電阻(Rds(on))和快速開�(guān)性能,從而降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�39A
�(dǎo)通電阻:2.4mΩ
柵極電荷�18nC
開關(guān)時間:開通延遲時�58ns,關(guān)斷傳播時�23ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
TRPGR30ENATGA具有較低的導(dǎo)通電阻,這使其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色。同時,它具備較低的柵極電荷,有助于實現(xiàn)更快的開�(guān)速度,并減少開關(guān)損��
該產(chǎn)品還支持較寬的工作溫度范�,確保在惡劣�(huán)境條件下依然能夠�(wěn)定運行。此�,其封裝形式為TO-263,這種表面貼裝封裝提供了良好的散熱性能和較高的機械可靠性�
這款MOSFET廣泛用于各種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品中,典型應(yīng)用場景包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)
2. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)�
3. DC/DC�(zhuǎn)換器
4. 太陽能微型逆變�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切�
IRLR7843,
SI4854DP,
AO3400