TRW1023J7C是一款由ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適合于多種功率�(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)�。TRW1023J7C的封裝形式為TO-263(D2PAK�,使其具備良好的散熱性能,并且能夠在較高的電流和電壓條件下工��
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于直流電機(jī)�(qū)�、負(fù)載開�(guān)、降�/升壓�(zhuǎn)換器、逆變器以及其他需要高效功率管理的場合�
型號:TRW1023J7C
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
VDS(漏源極電壓):40V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�5.5mΩ(典型�,VGS=10V�
ID(連續(xù)漏極電流):80A
VGS(柵源電壓):�20V
功耗:210W
封裝:TO-263(D2PAK�
工作溫度范圍�-55℃至+175�
TRW1023J7C具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))使其在高電流應(yīng)用中能夠減少功率損�,提高效率�
2. 高電流承載能力(ID=80A�,適用于大功率系�(tǒng)�
3. 快速開�(guān)特�,減少了開關(guān)損耗并提高了系�(tǒng)的動�(tài)響應(yīng)能力�
4. 寬工作溫度范圍(-55℃至+175℃),適�(yīng)惡劣�(huán)境下的使用需��
5. 熱穩(wěn)定性好,封裝設(shè)計有助于高效散熱�
6. 提供�(yōu)異的電氣特性和可靠�,適合工�(yè)級和汽車級應(yīng)��
TRW1023J7C的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 電源管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電�(jī)控制和驅(qū)動電路�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的繼電器替代和電源分配�
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
5. 各種消費類電子產(chǎn)品中的高效功率管理解決方案�
6. 通信基站和服�(wù)器電源中的關(guān)鍵功率元��
NTOW1023J7C, IRFZ44N, FDP55N06L