UG4KB100 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的溝槽式工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提升系統(tǒng)效率并降低熱損耗。
這款器件主要針對(duì)高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì),額定耐壓高達(dá)100V,同時(shí)具備強(qiáng)大的電流承載能力。其封裝形式通常為T(mén)O-220或TO-252,便于散熱管理,適合需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流:4A
導(dǎo)通電阻(典型值):75mΩ
柵極電荷:12nC
開(kāi)關(guān)時(shí)間(開(kāi)啟/關(guān)閉):30ns/15ns
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
UG4KB100 具備以下主要特性:
1. 高擊穿電壓:額定100V,確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
2. 極低的導(dǎo)通電阻:典型值為75mΩ,減少了功率損耗。
3. 快速開(kāi)關(guān)性能:柵極電荷小,開(kāi)關(guān)速度快,有助于提高工作效率。
4. 強(qiáng)大的過(guò)流保護(hù)能力:內(nèi)置短路保護(hù)機(jī)制,提高了系統(tǒng)的可靠性。
5. 寬工作溫度范圍:從-55℃到+175℃,適用于各種惡劣環(huán)境。
6. 小型化封裝:采用標(biāo)準(zhǔn)TO-220封裝,方便散熱且節(jié)省空間。
這些特性使得UG4KB100成為眾多功率轉(zhuǎn)換和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的理想選擇。
UG4KB100 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS):用于AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,提供高效的功率傳輸。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):支持無(wú)刷直流電機(jī)和其他類(lèi)型電機(jī)的驅(qū)動(dòng)控制。
3. LED驅(qū)動(dòng)器:用于高亮度LED照明系統(tǒng)的恒流控制。
4. 工業(yè)自動(dòng)化:在工業(yè)控制設(shè)備中用作功率開(kāi)關(guān)。
5. 汽車(chē)電子:適用于汽車(chē)中的負(fù)載切換和電源管理。
由于其高效率和可靠性,UG4KB100在各類(lèi)電力電子應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
IRFZ44N
STP80NF10
FDP5802