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UPA1872BGR 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 17:29:57 查看 閱讀�9

UPA1872BGR是一款高�、高功率的N溝道MOSFET晶體�,采用TO-263-3封裝形式。該器件適用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動等需要高效能和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場�。其�(shè)計旨在提供出色的電流處理能力和耐熱性能,確保在�(yán)苛條件下依然能夠�(wěn)定運行�
  UPA1872BGR屬于增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體�,具有較低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高頻開關(guān)�(yīng)用中減少功率損耗并提高效率。同�,它具備較高的擊穿電壓,可滿足多種工�(yè)及消費類電子�(shè)備的需��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�54A
  脈沖漏極電流�120A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
  總功耗:160W
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝類型:TO-263-3

特�

UPA1872BGR的主要特點是其優(yōu)異的電氣性能和可靠性。以下是其詳�(xì)特性:
  1. 高電流承載能力:該器件支持高�(dá)54A的連續(xù)漏極電流�120A的脈沖漏極電�,使其非常適合大功率�(yīng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:典型值僅�1.5mΩ,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能:具備短的開啟和�(guān)斷時�,適合高頻開�(guān)模式電源(SMPS)和其他高速切換電路�
  4. 高擊穿電壓:60V的最大漏源電壓確保了其在較高電壓�(huán)境下的穩(wěn)定��
  5. 良好的熱性能:通過�(yōu)化的封裝�(shè)�,能夠有效散熱,從而提升長時間工作時的可靠性�
  6. 廣泛的工作溫度范圍:支持�-55℃到+175℃的�(jié)溫范�,適�(yīng)各種極端條件�

�(yīng)�

UPA1872BGR廣泛�(yīng)用于多個領(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
  1. 開關(guān)電源(SMPS):由于其低�(dǎo)通電阻和高電流處理能�,UPA1872BGR非常適合用于各類開關(guān)電源的設(shè)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:在降壓或升壓轉(zhuǎn)換器中,該器件可以顯著降低能量損��
  3. 電機(jī)�(qū)動:可用于驅(qū)動中小型直流電機(jī),提供高效的功率輸出�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):幫助實現(xiàn)對電池充放電過程的有效控��
  5. 照明系統(tǒng):例如LED�(qū)動器中的功率管理部分�
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備:如伺服控制器或其他需要高性能功率處理的場��

替代型號

IPA1872BGR, STP55NF06L, IRFZ44N

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