UPC8128TB 時(shí)間：2025/5/23 19:18:48 閱讀：12

UPC8128TB是一種高性能的功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），主要用于開關(guān)和功率管理應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，能夠提供高效率、低損耗的性能表現(xiàn)，廣泛應(yīng)用于工業(yè)及消費(fèi)類電子領(lǐng)域。
　　該芯片的特點(diǎn)在于其優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻特性和快速的開關(guān)速度，使其非常適合需要高效能轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。此外，它還具有良好的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能力，確保了在各種復(fù)雜工作環(huán)境下的可靠運(yùn)行。

參數(shù)

型號(hào)：UPC8128TB
　　類型：N-Channel MOSFET
　　VDS（漏源極擊穿電壓）：60V
　　RDS(on)（導(dǎo)通電阻）：15mΩ
　　ID（連續(xù)漏極電流）：30A
　　Ptot（總功耗）：75W
　　柵極電荷：20nC
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
　　封裝形式：TO-220

特性

UPC8128TB具備以下關(guān)鍵特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻RDS(on)，有助于減少導(dǎo)通時(shí)的功率損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　2. 快速開關(guān)速度，適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
　　3. 高電流承載能力，可支持高達(dá)30A的連續(xù)漏極電流。
　　4. 寬泛的工作溫度范圍，從-55°C到+175°C，適應(yīng)多種極端環(huán)境。
　　5. 具備較強(qiáng)的抗靜電能力，提高了產(chǎn)品使用的可靠性。
　　6. 封裝采用標(biāo)準(zhǔn)TO-220形式，易于安裝和散熱設(shè)計(jì)。
　　這些特點(diǎn)使得UPC8128TB成為眾多功率控制電路的理想選擇，特別是在要求高效率和高可靠性的場(chǎng)合。

應(yīng)用

UPC8128TB主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率開關(guān)元件。
　　2. 直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率控制。
　　3. 電池保護(hù)電路中作為電子開關(guān)使用。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控制。
　　5. 汽車電子系統(tǒng)中的功率管理。
　　6. 各種適配器和充電器設(shè)計(jì)。
　　由于其出色的電氣特性和熱穩(wěn)定性，UPC8128TB能夠在上述應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色，滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)高效能和可靠性的需求。