時間：2025/5/21 11:16:49
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UTT80N10是一款N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件適用于高頻開關(guān)應用和功率管理電路，具有較低的導通電阻和快速的開關(guān)速度。
其封裝形式通常為TO-220或TO-252，這使得它在散熱性能和安裝靈活性方面表現(xiàn)出色。廣泛應用于電源適配器、電機驅(qū)動、LED照明以及各類開關(guān)模式電源（SMPS）中。
最大漏源電壓：100V
連續(xù)漏極電流：80A
導通電阻：4.5mΩ（典型值，在特定條件下）
柵極電荷：70nC
總電容：1350pF
工作結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃
1. 超低導通電阻，有助于降低傳導損耗并提高效率。
2. 快速開關(guān)特性，能夠適應高頻工作環(huán)境。
3. 高雪崩擊穿能量能力，增強了器件的耐用性和可靠性。
4. 符合RoHS標準，環(huán)保設計。
5. 具備出色的熱穩(wěn)定性和電氣性能，適用于嚴苛的工作條件。
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的功率轉(zhuǎn)換級。
2. 電機控制與驅(qū)動電路。
3. LED驅(qū)動器及調(diào)光系統(tǒng)。
4. 工業(yè)逆變器和不間斷電源（UPS）。
5. 各類電池充電管理系統(tǒng)。
6. 汽車電子中的負載切換和保護電路。
IRF840, STP80NF10, FDN809N
