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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > VTB5040J

VTB5040J 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/3/28 9:03:01 查看 閱讀�39

VTB5040J是一款N溝道垂直功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于需要高效開(kāi)�(guān)和低�(dǎo)通電阻的�(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,能夠提供較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�。其封裝形式通常為T(mén)O-220,適合高功率密度的應(yīng)用需��
  該芯片的主要特點(diǎn)是具備優(yōu)秀的熱性能和電氣特�,使其成為電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及各種工�(yè)�(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻:4mΩ
  柵極電荷�38nC
  最大功耗:175W
  工作�(jié)溫范圍:-55� to 175�
  封裝�(lèi)型:TO-220

特�

擁有低導(dǎo)通電阻,這使得它在高電流�(yīng)用中能減少功率損耗并提高效率。此�,其快速開(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷減少了開(kāi)�(guān)損�,從而�(jìn)一步提升了整體性能�
  這款MOSFET還具有出色的雪崩能力和抗靜電性能,確保了其在惡劣�(huán)境下的可靠�。同�(shí),它的熱阻較�,有助于改善散熱性能,延�(zhǎng)使用壽命�
  VTB5040J采用�(biāo)�(zhǔn)TO-220封裝,便于安裝和使用,適用于多種行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)�(shè)�(jì)。由于其卓越的電氣和熱性能,該芯片能夠在高頻率和高溫環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

常用于直�-直流�(zhuǎn)換器、開(kāi)�(guān)電源、電�(dòng)工具�(qū)�(dòng)電路、汽�(chē)電子系統(tǒng)、工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備等�(yīng)用領(lǐng)��
  在電源管理方�,該器件可以作為高效的開(kāi)�(guān)元件,用于降壓或升壓�(zhuǎn)換器�。在電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用中,它可以控制大電流負(fù)�,并且能夠承受瞬�(tài)電壓波動(dòng)�
  此外,VTB5040J也適用于太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模�,因其良好的散熱特性和高可靠性滿足這些�(yīng)用的需��

替代型號(hào)

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP5570N
  IXTK40N06P3

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