VG039NCHXTB105 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高性能功率晶體�,專為高�、高效能開關(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用增強型常� (E-Mode) 工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適用于各種電源管理場景,如 AC-DC �(zhuǎn)換器、DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電模塊及高效率逆變器等�
由于其卓越的電氣性能和熱特性,VG039NCHXTB105 成為替代傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的理想選�。同時,它還支持更小尺寸的設(shè)�,進一步優(yōu)化了空間利用��
型號:VG039NCHXTB105
類型:GaN 功率晶體�
工作電壓�650V
�(dǎo)通電阻:100mΩ(典型值)
最大電流:20A
封裝形式:TO-220
柵極�(qū)動電壓:4.5V � 6V
開關(guān)頻率:最高可� 2MHz
�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
1. 高擊穿電壓:650V,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運��
2. 極低的導(dǎo)通電阻:100mΩ(典型值),降低傳�(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)速度:支持高� 2MHz 的開�(guān)頻率,顯著提高系�(tǒng)效率�
4. 增強型常閉結(jié)�(gòu):無需額外的復(fù)雜電路即可實�(xiàn)安全操作�
5. 出色的熱性能:通過高效的散熱設(shè)計,即使在高溫條件下也能保持�(yōu)異表�(xiàn)�
6. 小型化設(shè)計:相比傳統(tǒng)的硅� MOSFET,提供更高的功率密度�
1. AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器:用于提高轉(zhuǎn)換效率和減小�(shè)備體積�
2. 開關(guān)電源 (SMPS):實�(xiàn)高頻開關(guān)以減少磁性元件的使用�
3. 充電器和適配器:支持快充�(xié)議,提升充電效率�
4. 無線充電模塊:優(yōu)化無線能量傳輸效率�
5. 太陽能微型逆變器:利用 GaN 技�(shù)提高 MPPT 跟蹤效率�
6. 激光雷� (LiDAR) 系統(tǒng):作為高速開�(guān)組件,用于精確測��
KGD100N65S8,
GAN041-650WSA,
TP65H010G4