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VHF160808H1N3ST 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/16 13:56:15 查看 閱讀:22

VHF160808H1N3ST 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高頻功率晶體管,適用于高效率射頻功率放大器應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的封裝技術(shù)以提高散熱性能和可靠性。它廣泛應(yīng)用于通信系統(tǒng)、雷達(dá)設(shè)備以及廣播發(fā)射機(jī)等領(lǐng)域。
  該晶體管支持高達(dá) S 波段頻率范圍的操作,并且具有出色的線性度和增益特性,能夠滿足現(xiàn)代無線通信系統(tǒng)對(duì)高性能的要求。

參數(shù)

型號(hào):VHF160808H1N3ST
  工作頻率范圍:800 MHz - 2.5 GHz
  最大輸出功率:250 W(典型值)
  飽和輸出功率:300 W(最小值)
  增益:16 dB(典型值)
  效率:65%(典型值)
  電壓額定值:50 V
  電流額定值:15 A
  封裝類型:陶瓷金屬密封
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C

特性

VHF160808H1N3ST 的主要特點(diǎn)是其采用了氮化鎵半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)的硅基晶體管,這種材料提供了更高的電子遷移率和擊穿電壓,使得器件能夠在更高頻率和功率條件下運(yùn)行。此外,其設(shè)計(jì)具備良好的熱管理能力,確保在高功率負(fù)載下的穩(wěn)定性和長期可靠性。
  此器件還集成了柵極保護(hù)電路,可以防止因靜電放電或過壓造成的損壞。同時(shí),優(yōu)化的內(nèi)部匹配網(wǎng)絡(luò)進(jìn)一步簡化了外部電路設(shè)計(jì),提高了整體系統(tǒng)的集成度和性能。
  VHF160808H1N3ST 在射頻功率放大領(lǐng)域表現(xiàn)出色,特別是在需要寬頻帶操作和高效率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中。

應(yīng)用

該晶體管適合用于多種射頻功率放大場(chǎng)景,包括但不限于:
  1. 無線通信基站中的 PA 模塊
  2. 廣播和電視信號(hào)傳輸設(shè)備
  3. 航空航天與國防領(lǐng)域的雷達(dá)系統(tǒng)
  4. 醫(yī)療成像設(shè)備如超聲波儀器中的電源部分
  5. 工業(yè)加熱及等離子體生成裝置中的高頻驅(qū)動(dòng)器
  VHF160808H1N3ST 的高功率密度和優(yōu)異的效率使其成為這些應(yīng)用的理想選擇。

替代型號(hào)

VHF160808H1N5ST, VHF160808H2N3ST

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