VHF201209H1N2ST是一款基于硅技�(shù)的高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬于N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件適用于高電壓和中等功率應(yīng)用,具有較低的導(dǎo)通電阻和良好的開�(guān)性能,廣泛用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載開�(guān)和其他功率轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
其封裝形式為SOT-23,具備小尺寸和高效散熱的特點(diǎn),適合緊湊型�(shè)計需��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�2A
�(dǎo)通電阻:4.5Ω
柵極電荷�30nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55℃至+175�
VHF201209H1N2ST具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓(650V)使其能夠承受較高的漏源電壓,適�(yīng)各種高壓�(huán)境�
2. �(dǎo)通電阻低�4.5Ω,在大電流條件下減少功耗并提升效率�
3. 快速開�(guān)速度,支持高頻操�,減少開�(guān)損��
4. SOT-23小型封裝,節(jié)省PCB空間且易于安��
5. 工作溫度范圍廣(-55℃至+175℃),確保在極端�(huán)境下的可靠��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
這款MOSFET適用于多種應(yīng)用場�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 直流電機(jī)�(qū)動和控制電路�
3. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
4. LED照明�(qū)動器�
5. 電池管理系統(tǒng)中的功率管理模塊�
6. 各類工業(yè)電子�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和�(diào)節(jié)電路�
VHF201209H1N1ST, IRF540N, FQP12N60