VHR-4N-WGE1 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效能功率晶體管,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的封裝工藝,具有高耐壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提升系統(tǒng)效率并減小整體設(shè)計(jì)尺寸。
其設(shè)計(jì)注重散熱性能和電氣穩(wěn)定性,適合在嚴(yán)苛的工作環(huán)境下運(yùn)行,同時(shí)支持高功率密度應(yīng)用需求。
類型:增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (eGaN FET)
最大漏源電壓:600 V
連續(xù)漏極電流:25 A
導(dǎo)通電阻:70 mΩ(典型值)
柵極電荷:35 nC(典型值)
開關(guān)頻率:超過(guò)5 MHz
結(jié)溫范圍:-55°C 至 +175°C
封裝形式:WBG Enhanced 8-Lead Surface Mount
VHR-4N-WGE1 的主要優(yōu)勢(shì)在于其卓越的電氣性能與可靠性:
1. 使用氮化鎵材料,實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)硅基MOSFET更低的導(dǎo)通電阻和更快的開關(guān)速度,從而減少開關(guān)損耗。
2. 高效熱管理設(shè)計(jì)使器件能夠在高負(fù)載條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
3. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能增強(qiáng)了產(chǎn)品的魯棒性。
4. 小型化封裝有效節(jié)省了PCB空間,為緊湊型設(shè)計(jì)提供了便利。
5. 廣泛的溫度適應(yīng)能力確保其適用于工業(yè)級(jí)及汽車級(jí)環(huán)境。
這款器件適用于多種高性能電力電子應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器
2. 無(wú)線充電設(shè)備中的功率傳輸模塊
3. 智能家電的逆變電源單元
4. 電動(dòng)車輛的牽引逆變器
5. 太陽(yáng)能微逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)
6. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器供電單元 (PSU) 中的同步整流電路
VHR-4N-WGE2, VHS-5N-WGE1, GAN063-650WSA