VHR-4N-WGE1 時(shí)間：2025/6/3 10:15:24 閱讀：12

VHR-4N-WGE1 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高效能功率晶體管，廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的封裝工藝，具有高耐壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠顯著提升系統(tǒng)效率并減小整體設(shè)計(jì)尺寸。
　　其設(shè)計(jì)注重散熱性能和電氣穩(wěn)定性，適合在嚴(yán)苛的工作環(huán)境下運(yùn)行，同時(shí)支持高功率密度應(yīng)用需求。

參數(shù)

類型：增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (eGaN FET)
　　最大漏源電壓：600 V
　　連續(xù)漏極電流：25 A
　　導(dǎo)通電阻：70 mΩ（典型值）
　　柵極電荷：35 nC（典型值）
　　開關(guān)頻率：超過(guò)5 MHz
　　結(jié)溫范圍：-55°C 至 +175°C
　　封裝形式：WBG Enhanced 8-Lead Surface Mount

特性

VHR-4N-WGE1 的主要優(yōu)勢(shì)在于其卓越的電氣性能與可靠性：
　　1. 使用氮化鎵材料，實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)硅基MOSFET更低的導(dǎo)通電阻和更快的開關(guān)速度，從而減少開關(guān)損耗。
　　2. 高效熱管理設(shè)計(jì)使器件能夠在高負(fù)載條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
　　3. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能增強(qiáng)了產(chǎn)品的魯棒性。
　　4. 小型化封裝有效節(jié)省了PCB空間，為緊湊型設(shè)計(jì)提供了便利。
　　5. 廣泛的溫度適應(yīng)能力確保其適用于工業(yè)級(jí)及汽車級(jí)環(huán)境。

應(yīng)用

這款器件適用于多種高性能電力電子應(yīng)用場(chǎng)景：
　　1. 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　2. 無(wú)線充電設(shè)備中的功率傳輸模塊
　　3. 智能家電的逆變電源單元
　　4. 電動(dòng)車輛的牽引逆變器
　　5. 太陽(yáng)能微逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)
　　6. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器供電單元 (PSU) 中的同步整流電路