VND5004B 時間：2025/4/29 17:26:49 閱讀：35

VND5004B是一款N溝道增強型場效應(yīng)晶體管（MOSFET），廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等場景。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點，適合高頻應(yīng)用場合。
　　這款MOSFET采用TO-220封裝形式，便于散熱設(shè)計，能夠承受較高的電流和電壓需求。其出色的性能和可靠性使其成為眾多電路設(shè)計中的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：50A
　　導(dǎo)通電阻：1.8mΩ（典型值）
　　柵極電荷：39nC（典型值）
　　總功耗：75W
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃

特性

VND5004B具備以下關(guān)鍵特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，有效減少功率損耗。
　　2. 高速開關(guān)能力，適用于高頻工作環(huán)境。
　　3. 大電流承載能力，滿足高功率應(yīng)用需求。
　　4. 良好的熱穩(wěn)定性，確保在高溫環(huán)境下可靠運行。
　　5. 柵極兼容邏輯電平驅(qū)動，簡化電路設(shè)計。
　　6. 短路耐受能力較強，提高系統(tǒng)安全性。

應(yīng)用

VND5004B主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源中的功率轉(zhuǎn)換級。
　　2. 直流電機驅(qū)動電路。
　　3. 各類負載開關(guān)和保護電路。
　　4. 工業(yè)控制設(shè)備中的功率管理模塊。
　　5. 汽車電子中的高電流開關(guān)應(yīng)用。
　　6. 其他需要高效功率開關(guān)的場景。