VND5004B是一款N溝道增強型場效應(yīng)晶體管(MOSFET�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等場�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適合高頻應(yīng)用場��
這款MOSFET采用TO-220封裝形式,便于散熱設(shè)�,能夠承受較高的電流和電壓需�。其出色的性能和可靠性使其成為眾多電路設(shè)計中的理想選擇�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ(典型值)
柵極電荷�39nC(典型值)
總功耗:75W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
VND5004B具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有效減少功率損��
2. 高速開�(guān)能力,適用于高頻工作�(huán)境�
3. 大電流承載能�,滿足高功率�(yīng)用需求�
4. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下可靠運行�
5. 柵極兼容邏輯電平�(qū)動,簡化電路�(shè)��
6. 短路耐受能力較強,提高系�(tǒng)安全性�
VND5004B主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源中的功率�(zhuǎn)換級�
2. 直流電機�(qū)動電��
3. 各類負載開關(guān)和保護電��
4. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率管理模塊�
5. 汽車電子中的高電流開�(guān)�(yīng)��
6. 其他需要高效功率開�(guān)的場��
VN5004B, IRF540N, FQP50N06L