VND5025BKTR-E 是一� N 沯道垂直 DMOS 場效�(yīng)晶體管(MOSFET�,采用小尺寸封裝�(shè)�(jì),適用于各種功率�(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)�。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力,能夠有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。其封裝形式� SOT-23,非常適合空間受限的�(yīng)用場��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�2.5A
�(dǎo)通電阻:170mΩ
柵極閾值電壓:2.5V
總功耗:440mW
工作溫度范圍�-55℃至 150�
VND5025BKTR-E 具有以下顯著特性:
1. 超低�(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損�,提高能��
2. 小型 SOT-23 封裝,適合高密度電路板布局�
3. 高電流承載能�,支持大�(fù)載應(yīng)��
4. 快速開�(guān)速度,降低了開關(guān)損��
5. 提供出色的熱�(wěn)定性,能夠在較寬的溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)��
6. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的魯棒��
VND5025BKTR-E 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
2. 便攜式電子設(shè)備的�(fù)載開�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
4. 電池保護(hù)和管理模塊�
5. 過流保護(hù)和短路保�(hù)電路�
6. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品中的信�(hào)切換和功率調(diào)節(jié)�
VND5025BKMTR-E, VNQ0215ATMA, FDC6570N