VND5E160AJTR-E 是一� N 溝道增強� MOSFET,采� TO-263 封裝形式。該器件主要用于開關應用和功率管理領�,具有較低的導通電阻和較高的效�。它適合在汽車電子、工�(yè)控制以及其他高可靠性應用中使用�
VND5E160AJTR-E 的設計目標是提供一種能夠在高壓�(huán)境下工作的功率半導體器件,同時確保良好的熱性能和電氣穩(wěn)定��
最大漏源電壓:160V
連續(xù)漏極電流�5A
導通電阻:80mΩ(典型值)
柵極閾值電壓:2V~4V
總功耗:40W
工作結溫范圍�-55℃~175�
VND5E160AJTR-E 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高擊穿電壓(160V),能夠適應更廣泛的電壓應用場景�
3. 符合 AEC-Q101 標準,適用于汽車級應�,具備高可靠性和�(wěn)定性�
4. 支持高頻率開關操�,適合現(xiàn)代高頻電源轉換器設計�
5. �(nèi)部集成保護機�,如過流保護和熱關斷功能,增強了器件的安全��
6. 采用� TO-263 封裝,具有優(yōu)良的散熱性能和機械強��
VND5E160AJTR-E 可廣泛應用于以下領域�
1. 汽車電子中的電機�(qū)動和 DC-DC 轉換器�
2. 工業(yè)設備中的開關電源和負載切��
3. LED 照明�(qū)動電��
4. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控��
5. 各種需要高效率功率轉換的場��
VND5E160ATR-E, VND5E160AJT-E