時間：2025/4/28 17:33:52
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VNHD7008AYTR 是一款由 STMicroelectronics（意法半導體）制造的 N 溝道功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 HD 封裝。該器件具有極低的導通電阻和出色的開關性能，適用于高頻開關電源、DC-DC 轉換器、負載開關以及電機驅動等應用領域。
由于其封裝緊湊且性能優(yōu)越，VNHD7008AYTR 成為在空間受限應用中實現高效能設計的理想選擇。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：8.9A
導通電阻（典型值）：2.2mΩ
柵極電荷（典型值）：14nC
總電容（pF
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝類型：PowerFLAT 5x6 HD
VNHD7008AYTR 具有以下顯著特點：
1. 極低的導通電阻 (Rds(on))，有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關性能，能夠支持高頻操作，從而減小無源元件的尺寸。
3. 緊湊型封裝，適合對空間要求較高的應用環(huán)境。
4. 較寬的工作溫度范圍，確保在極端條件下仍能穩(wěn)定運行。
5. 優(yōu)異的熱性能，有助于改善散熱管理。
該功率 MOSFET 廣泛應用于以下場景：
1. 開關模式電源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 轉換器的核心開關元件。
3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關。
4. 各類電機驅動電路中的功率級開關。
5. 工業(yè)控制設備中的功率轉換模塊。
VNQ0080HT, IRLZ44N, FDN340P
