VNHD7008AYTR 是一款由 STMicroelectronics(意法半導體)制造的 N 溝道功率 MOSFET,采� PowerFLAT 5x6 HD 封裝。該器件具有極低的導通電阻和出色的開關性能,適用于高頻開關電源、DC-DC 轉換器、負載開關以及電機驅動等應用領域�
由于其封裝緊湊且性能�(yōu)越,VNHD7008AYTR 成為在空間受限應用中實現高效能設計的理想選擇�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�8.9A
導通電阻(典型值)�2.2mΩ
柵極電荷(典型值)�14nC
總電容(pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝類型:PowerFLAT 5x6 HD
VNHD7008AYTR 具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開關性能,能夠支持高頻操�,從而減小無源元件的尺寸�
3. 緊湊型封�,適合對空間要求較高的應用環(huán)��
4. 較寬的工作溫度范�,確保在極端條件下仍能穩(wěn)定運��
5. �(yōu)異的熱性能,有助于改善散熱管理�
該功� MOSFET 廣泛應用于以下場景:
1. 開關模式電源 (SMPS) 中的同步整流�
2. DC-DC 轉換器的核心開關元件�
3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關�
4. 各類電機驅動電路中的功率級開��
5. 工業(yè)控制設備中的功率轉換模塊�
VNQ0080HT, IRLZ44N, FDN340P