VNQ6040S-BB 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高頻和高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的封裝技術(shù),具有出色的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻特性,適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動以及通信系統(tǒng)中的射頻放大器等場景。
該型號的工作電壓范圍廣,能夠在高頻條件下保持高效能,同時(shí)具備優(yōu)異的熱管理和低寄生電感特性。VNQ6040S-BB 的小型化封裝使其非常適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境。
類型:增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管 (E-Mode HEMT)
工作電壓:600V
導(dǎo)通電阻:40mΩ
最大漏極電流:12A
柵極電壓(開啟):4V
柵極電壓(關(guān)斷):0V
封裝形式:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
VNQ6040S-BB 具有以下顯著特性:
1. 基于氮化鎵材料的高性能表現(xiàn),提供更高的開關(guān)頻率和更低的功耗。
2. 極低的導(dǎo)通電阻,有效減少傳導(dǎo)損耗。
3. 高耐壓能力,能夠承受高達(dá) 600V 的漏源電壓。
4. 快速開關(guān)速度,支持 MHz 級別的工作頻率。
5. 內(nèi)部集成 ESD 保護(hù)電路,提高器件的魯棒性。
6. 小型化的封裝設(shè)計(jì),適合緊湊型設(shè)備應(yīng)用。
7. 寬泛的工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
VNQ6040S-BB 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)管。
2. 工業(yè)級電機(jī)驅(qū)動和逆變器的核心功率器件。
3. 射頻功率放大器和無線能量傳輸模塊。
4. 新能源汽車中的車載充電器和電池管理系統(tǒng)。
5. 太陽能微型逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換設(shè)備。
6. 數(shù)據(jù)中心和通信基站中的高效電源解決方案。
VNQ6035S-BB, IRG4PC20UD, FDP18N06L