時間：2025/5/22 16:41:33
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WCL085N12DN 是一款基于硅技術(shù)的 N 溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。它采用先進(jìn)的制程工藝，旨在提供卓越的開關(guān)性能和導(dǎo)通效率。該器件適用于各種高電壓、高電流的應(yīng)用場合，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、逆變器、電機(jī)驅(qū)動以及電源管理模塊等。其小型化的封裝設(shè)計使得該 MOSFET 在有限的空間內(nèi)也能實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。
該型號以低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度著稱，能夠在高頻工作條件下保持較低的能量損耗。此外，WCL085N12DN 具有良好的熱性能和堅固的電氣特性，使其成為需要高可靠性和穩(wěn)定性的工業(yè)及消費類電子產(chǎn)品的理想選擇。
最大漏源電壓：120V
連續(xù)漏極電流：7.6A
導(dǎo)通電阻（典型值）：85mΩ
柵極電荷：12nC
總電容（輸入電容）：450pF
開關(guān)速度：非�？�
封裝形式：TO-263 (DPAK)
WCL085N12DN 的主要特點是低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能，這使其在高頻率應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的功耗。它的增強(qiáng)型 N 溝道結(jié)構(gòu)提供了更高效的電流傳輸能力，并且具有較高的雪崩擊穿能量，增強(qiáng)了器件的魯棒性。
此外，這款 MOSFET 的小型化封裝極大地節(jié)省了 PCB 空間，同時其出色的熱性能保證了長時間運(yùn)行時的溫度穩(wěn)定性。WCL085N12DN 還具備反向恢復(fù)時間短的優(yōu)點，進(jìn)一步降低了開關(guān)過程中的能量損耗。
在實際應(yīng)用中，該器件支持寬范圍的工作電壓和電流，能夠承受一定的過載情況，非常適合要求嚴(yán)格的工作環(huán)境。
WCL085N12DN 廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域，包括但不限于以下場景：
- 開關(guān)模式電源（SMPS）
- DC-DC 轉(zhuǎn)換器
- 電動工具的電機(jī)驅(qū)動
- 工業(yè)控制設(shè)備中的負(fù)載切換
- 消費類電子產(chǎn)品的電池充電電路
- 太陽能逆變器和 LED 驅(qū)動器
由于其高效能和可靠性，WCL085N12DN 成為這些應(yīng)用中的核心功率器件之一。
WCL080N12DN
IRFZ44N
FDP5570N
