WSD2050DN是一款雙通道增強(qiáng)型P溝道MOSFET晶體管,廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、負(fù)載切�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和保�(hù)電路等領(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,在低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度之間取得了良好的平衡,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功耗�
其封裝形式為SOP-8,具有較小的體積和較高的散熱性能,非常適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�5A
�(dǎo)通電阻(典型值)�12mΩ
柵極電荷�15nC
開關(guān)�(shí)間:開啟延遲�(shí)�10ns,關(guān)斷延遲時(shí)�25ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì)可以有效減少功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)特性使得該器件在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
3. SOP-8封裝提供了良好的熱性能和電氣連接可靠��
4. 較高的電流承載能力滿足多種應(yīng)用場(chǎng)景的需求�
5. 廣泛的工作溫度范圍確保了器件在極端環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
1. 開關(guān)電源中的同步整流�
2. �(fù)載切換電�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
5. �(guò)流保�(hù)和短路保�(hù)電路
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模�
IRF7404, AO3401A