產(chǎn)品型號 | XC3S1200E-5FGG320C |
描述 | 集成電路FPGA 250 I / O 320FBGA |
分類 | 集成電路(IC),嵌入式-FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列) |
產(chǎn)品型號 | XC3S1200E-5FGG320C |
描述 | 集成電路FPGA 250 I / O 320FBGA |
分類 | 集成電路(IC),嵌入式-FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列) |
制造商 | Xilinx公司 |
系列 | Spartan?-3E |
打包 | 托盤 |
電壓-電源 | 1.14V1.26V |
工作溫度 | 0°C85°C(TJ) |
包裝/箱 | 320-BGA |
供應商設備包裝 | 320-FBGA(19x19) |
基本零件號 | XC3S1200E |
適用于大批量,面向消費者的應用的低成本,高性能邏輯解決方案
成熟的先進90納米工藝技術
多電壓,多標準SelectIO接口引腳
多達376個I/O引腳或156個差分信號對
LVCMOS,LVTTL,HSTL和SSTL單端信號標準
3.3V,2.5V,1.8V,1.5V和1.2V信令
每個I/O622+Mb/s數(shù)據(jù)傳輸速率
真LVDS,RSDS,mini-LVDS,差分HSTL/SSTL差分I/O
增強的雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)支持
DDRSDRAM支持高達333Mb/s
豐富,靈活的邏輯資源
密度高達33,192個邏輯單元,包括可選的移位寄存器或分布式RAM支持
高效的寬多路復用器,寬邏輯
快速提前進位邏輯
帶有可選管線的增強型18x18乘法器
IEEE1149.1/1532JTAG編程/調(diào)試端口
分層SelectRAM存儲器架構
高達648Kbit的快速BlockRAM
高達231Kbit的高效分布式RAM
多達八個數(shù)字時鐘管理器(DCM)
消除時鐘偏斜(延遲鎖定環(huán))
頻率合成,乘法,除法
高分辨率相移
寬頻率范圍(5MHz至300MHz以上)
八個全局時鐘,每個設備每半半個八個額外時鐘,以及豐富的低偏斜布線
與行業(yè)標準PROM的配置接口
低成本,節(jié)省空間的SPI串行閃存PROM
x8或x8/x16并行NORFlashPROM
具有JTAG的低成本Xilinx平臺閃存
完整的XilinxISE和WebPACK軟件
MicroBlaze和PicoBlaze嵌入式處理器內(nèi)核
完全兼容32-/64位33MHzPCI支持(某些設備為66MHz)
低成本QFP和BGA封裝選項
通用封裝支持輕松進行密度遷移
無鉛包裝選擇
制造商包裝說明 | FBGA-320 |
符合REACH | 是 |
符合歐盟RoHS | 是 |
狀態(tài) | 活性 |
可編程邏輯類型 | 現(xiàn)場可編程門陣列 |
最大時鐘頻率 | 657.0兆赫 |
CLB-Max的組合延遲 | 0.66納秒 |
JESD-30代碼 | S-PBGA-B320 |
JESD-609代碼 | e1 |
總RAM位 | 516096 |
CLB數(shù)量 | 2168.0 |
等效門數(shù) | 1200000.0 |
輸入數(shù)量 | 250.0 |
邏輯單元數(shù) | 19512.0 |
輸出數(shù)量 | 194.0 |
端子數(shù) | 320 |
最低工作溫度 | 0℃ |
最高工作溫度 | 85℃ |
組織 | 2168 CLBS,1200000個門 |
包裝主體材料 | 塑料/環(huán)氧樹脂 |
包裝代碼 | BGA |
包裝等效代碼 | BGA320,18X18,40 |
包裝形狀 | 四方形 |
包裝形式 | 網(wǎng)格陣列 |
峰值回流溫度(℃) | 260 |
電源 | 1.2,1.2 / 3.3,2.5 |
座高 | 2.0毫米 |
子類別 | 現(xiàn)場可編程門陣列 |
電源電壓標稱 | 1.2伏 |
最小供電電壓 | 1.14伏 |
最大電源電壓 | 1.26伏 |
表面貼裝 | 是 |
技術 | CMOS |
溫度等級 | 其他 |
終端完成 | 錫/銀/銅(Sn / Ag / Cu) |
終端表格 | 球 |
端子間距 | 1.0毫米 |
終端位置 | 底部 |
時間@峰值回流溫度-最大值(秒) | 30 |
長度 | 19.0毫米 |
寬度 | 19.0毫米 |