XRCGB25M000F2N13R0 是一款高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率晶體管,廣泛應用于高效率、高頻開關場�。該器件采用先進的碳化硅技術制�,具有低導通電阻和快速開關速度的特�,非常適合于電動汽車充電設備、太陽能逆變器以及工�(yè)電源等應用領域�
相比傳統(tǒng)的硅基功率器�,XRCGB25M000F2N13R0 提供了更�(yōu)越的熱性能和更低的能量損耗,同時支持更高的工作電壓和頻率�
額定電壓�1200V
額定電流�25A
導通電阻:0.007Ω
柵極電荷�90nC
開關頻率�100kHz-1MHz
結溫范圍�-55� to +175�
1. 高電壓承受能�,適合高壓環(huán)境下的應��
2. 極低的導通電阻,減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開關特性,降低開關損耗并允許更高的工作頻��
4. 良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(yōu)異性能�
5. 內置反向恢復二極�,進一步優(yōu)化電路設計并簡化布局�
6. 小型化封�,節(jié)省PCB空間的同時便于散熱管��
1. 電動車車載充電器 (OBC) 和直流快充樁�
2. 光伏逆變器及儲能系統(tǒng)中的DC-DC和DC-AC轉換模塊�
3. 工業(yè)電機驅動器和不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)�
4. 高頻開關電源 (SMPS) 和PFC (功率因數校正) 電路�
5. 通信基站電源和其他需要高效能量轉換的場合�
XRCGB25M000F2N12R0, XRCGB25M000F2N14R0