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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > ZTX656

ZTX656 發(fā)布時間 時間�2023/9/27 17:31:47 查看 閱讀�244

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:晶體管(BJT) - 單路
晶體管類型:NPN
電流 - 集電� (Ic)(最大)�500mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�200V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)�500mV @ 10mA, 100mA
電流 - 集電極截止(最大)�-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)�50 @ 100mA, 5V
功率 - 最大:1W
頻率 - �(zhuǎn)換:30MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-92-3(標(biāo)�(zhǔn)主體�,TO-226
包裝:散�

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  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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  • ZTX656
  • NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH...
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ztx656參數(shù)

  • 制造商Diodes Inc.
  • 配置Single
  • 晶體管極�NPN
  • 安裝�(fēng)�Through Hole
  • 封裝 / 箱體TO-92-3
  • 最大工作頻�30 MHz
  • 集電極—發(fā)射極最大電� VCEO200 V
  • 集電極連續(xù)電流0.5 A
  • 功率耗散1 W
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 最小工作溫�- 55 C