ZXMC3A16DN8 是一款高性能、低功耗的 CMOS 工藝制造的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM�。該芯片具有高速讀寫能�,適合需要快速數(shù)�(jù)訪問和處理的�(yīng)用場�。其封裝形式為符合行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型化封裝,能夠有效節(jié)� PCB 空間�
該器件采用單電源供電�(shè)�(jì),簡化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)�(fù)雜度,并且具備出色的抗干擾能�,能夠在廣泛的工�(yè)和商�(yè)�(yīng)用中提供可靠的性能�
容量�512K x 8 bits
工作電壓�2.5V � 3.6V
工作電流:最� 30mA
待機(jī)電流:小� 1μA
訪問�(shí)間:最� 10ns
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:無限期(在規(guī)定條件下�
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式:TSSOP-48
ZXMC3A16DN8 具有以下顯著特性:
1. 高速操作能�,支持高�(dá) 100MHz 的時(shí)鐘頻��
2. 低功耗設(shè)�(jì),非常適合對功耗敏感的�(yīng)用環(huán)��
3. �(shù)�(jù)�(wěn)定可�,無須刷新機(jī)制即可長期保存數(shù)�(jù)�
4. 支持全同步操作模�,便于與各種微處理器接口連接�
5. �(nèi)置強(qiáng)大的�(shù)�(jù)保護(hù)功能,在掉電情況下確保數(shù)�(jù)完整性�
6. 封裝緊湊,引腳布局合理,方便�(jìn)行高密度布板�(shè)�(jì)�
7. 提供全面的電氣保�(hù)措施,如過壓保護(hù)和靜電放電防�(hù)(ESD)�
ZXMC3A16DN8 廣泛�(yīng)用于各類需要高性能 SRAM 的設(shè)備中,包括但不限于:
1. 工業(yè)自動化控制設(shè)備中的緩存模塊�
2. �(yī)療設(shè)備中的臨�(shí)�(shù)�(jù)存儲單元�
3. 通信�(shè)備中的高速緩沖區(qū)�
4. 圖形處理單元(GPU)或�(shù)字信號處理器(DSP)的外部�(kuò)展存��
5. 嵌入式系�(tǒng)的程序運(yùn)行內(nèi)存區(qū)域�
6. 測試測量儀器中的實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)記錄裝置�
其出色的性能和可靠性使得該芯片成為許多高端�(yīng)用的理想選擇�
IS61LV25616, AS6C1008, CY62256