可控�開關(guān)可控硅又�晶閘�,是晶體閘流�(Thyristor)的簡(jiǎn)�,谷稱可控硅,它是一種大功率開關(guān)型半�(dǎo)體器�,在電路中用文字符號(hào)為“V�、“VT”表示(舊標(biāo)�(zhǔn)中用字母“SCR”表示)�
可控硅有多種分類方法。(一)按�(guān)�、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其�(guān)�、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控�、門極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控�、溫控可控硅和光控可控硅等多種。(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控�、三極可控硅和四極可控硅。(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控�、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其�,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多�;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩�。(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封�,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝�(五)按關(guān)斷速度分類:可控硅按其�(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅�
普通可控硅的三�(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位�(lái)�(cè)。大家知道,晶閘管G、K之間是一�(gè)PN�(jié)(a),相�(dāng)于一�(gè)二極�,G為正�、K為負(fù)極,所�,按照測(cè)試二極管的方法,找出三�(gè)極中的兩�(gè)�,測(cè)它的正、反向電�,電阻小�(shí),萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G,紅表筆接的是陰極K,剩下的一�(gè)就是�(yáng)極A�。測(cè)試晶閘管的好壞,可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開�(guān)S,按一下按鈕開�(guān)SB,燈泡發(fā)光就是好�,不�(fā)光就是壞的�
鑒別可控硅三�(gè)極的方法很簡(jiǎn)�,根�(jù)P-N�(jié)的原�,只要用�(wàn)用表�(cè)量一下三�(gè)極之間的電阻值就可以�
�(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以�,陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩�(gè)P-N�(jié),而且方向相反,因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通)�
控制極與陰極之間是一�(gè)P-N�(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀�(tài)�,可以有比較大的電流通過(guò),因�,有�(shí)�(cè)得控制極反向電阻比較�,并不能�(shuō)明控制極特性不�。另外,在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),萬(wàn)用表�(yīng)放在R*10或R*1�,防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿�
若測(cè)得元件陰�(yáng)極正反向已短路,或陽(yáng)極與控制極短�,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說(shuō)明元件已損壞�
可控硅是可控硅整流元件的�(jiǎn)稱,是一種具有三�(gè)PN�(jié)的四層結(jié)�(gòu)的大功率半導(dǎo)體器�。實(shí)際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路,實(shí)�(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,等等。可控硅和其它半�(dǎo)體器件一�,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等�(yōu)�(diǎn)。它的出�(xiàn),使半導(dǎo)體技�(shù)從弱電領(lǐng)域�(jìn)入了�(qiáng)電領(lǐng)�,成為工�(yè)、農(nóng)�(yè)、交通運(yùn)�、軍事科研以至商�(yè)、民用電器等方面�(zhēng)相采用的元件�