薄膜體聲�諧振�其英文全稱是Film Bulk Acoustic Resonator,縮寫為FBAR。不同于以前�濾波�,是使用硅底�、借助MEMS技�(shù)以及薄膜技�(shù)而制造出來的。在無線收發(fā)器中實現(xiàn)鏡像消除、寄生濾波和信道選擇等功�,有較高Q值和易實�(xiàn)微型化等特點�
隨著薄膜與微納制造技�(shù)的發(fā)展,電子器件正向微型�、高密集�(fù)�、高頻率和低功耗的方向迅速發(fā)�。近年來�(fā)展起來的薄膜體聲波諧振器(FBAR)采用一種先進的諧振技�(shù),它是通過壓電薄膜的逆壓電效�(yīng)將電能量�(zhuǎn)換成聲波而形成諧�,這一諧振技�(shù)可以用來制作薄膜頻率整形器件等先進元器件,薄膜體聲波諧振器(FBAR)聲波器件具有體積小,成本�,品質(zhì)因數(shù)(Q)高、功率承受能力強、頻率高(可�1-10GHz)且與IC技�(shù)兼容等特�,適合于工作�1-10 GHz的RF系統(tǒng)�(yīng)�,有望在未來的無線通訊系統(tǒng)中取代傳�(tǒng)的聲表面波(SAW)器件和微波陶瓷器,因此在新一代無線通信系統(tǒng)和超微量生化檢測�(lǐng)域具有廣闊的�(yīng)用前��
早在1965年Newell便制成了布拉格反射形的薄膜諧振器�1967年制成CdS薄膜諧振�1980年實�(xiàn)了在Si芯片上生長znO制成諧振頻率�500MHz,Q值為9000的薄膜諧振器。目前國際上的體聲波諧振器技�(shù)�(fā)展很快,微型�、性能�(yōu)良和VLSI工藝兼容的體聲波諧振器及其濾波器日益成為當今國際研究的熱點,出現(xiàn)了一批具有代表性的研究成果。其中以麻省理工�(xué)院微系統(tǒng)實驗室采用A1N作為壓電材料制成的體聲波諧振器為代表。他們于1997年采用硅刻蝕技�(shù)和鍵合技�(shù),構(gòu)造出使壓電膜懸空的密封腔,得到了中心頻率�1.35GHz、Q值為540、Keff�6.4、插損為3dB的薄膜體聲波諧振��1998年他們利用布拉格反射層技�(shù)得到的體聲波諧振器頻率在1.8GHz,帶寬為3.6Ao(�25MHz),Q值為400P.B.Kirby等于2000年研制的體聲波濾波器則采用PZT作為壓電材料,在頻率1.6GHz�,Q值為53,Kt�19.1%,帶寬IOOMHz,插損為3dB�2001年AgilentTechnologies公司利用AINFBAR制造的Duplexer,現(xiàn)在已�(jīng)開始銷售,頻率約1.9GHz,其Q值高�2500,Kt�6.5,插損小�3dB。韓國的K.W.Kim等在2002年研制了用于2GHz頻段的AlNTFBAR,Q值為577.18,Kt�4.3,帶�52MHz,插損為2�3dB�2003年日本的MotoakiHara等在Transducer0上發(fā)表了他們關(guān)于AINTFBAR的研究成�。該諧振器的基模位于2GHz,Q值達780,Keff�5.36�2003年韓國的LG公司研究得到了AINTFBAR,中心頻率約1.9GHz,Q值為1530,Keff�6.8�7.3,插�0.45dB,隔離度28dB�2004年韓國科技研究所微系�(tǒng)研究中心在超薄硅基片(50~m)上制作了薄膜體聲波諧振器,中心頻率達2.5GHz,具有很好的柔韌性,通過MEMS工藝加工易與MMIC集成,降低了器件的損��2005年FujitsuLaboratoriesLtd利用A1N薄膜作的TFBAR。中心頻率達�10.3GHz,Q值為508,插入損耗僅為ldB�