集成電路（IC）中采用的電容器基本上有兩種：MOS電容器和p-n結(jié)電容器。
    MOS電容器的一個極板是襯底上的重?fù)诫s區(qū)[如發(fā)射區(qū)]，另一個極板是頂層的金屬膜，中間可用熱生長的SiO2膜作為介質(zhì)層；MOS電容器的電容量與介質(zhì)層的介電常數(shù)成正比，為了增大電容量，希望采用較大介電常數(shù)的介質(zhì)材料[SiO2、Si3N4和Ta2O5的介電常數(shù)分別為3.9、8和22]；MOS電容器的電容量基本上與電壓無關(guān)，并且其串聯(lián)電阻小，又幾乎不存在漏電流。
    p-n結(jié)電容器一般采用n+-p型式，并且需要加反向偏壓（以防pn正偏而漏電），則其電容量與電壓有關(guān)；而且電容量通常不能制作得很大，其串聯(lián)電阻也要比MOS電容器的大得多。

    電容器，通常簡稱其容納電荷的本領(lǐng)為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思義，是‘裝電的容器’，是一種容納電荷的器件。英文名稱：capacitor。電容器是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于電路中的隔直通交，耦合，旁路，濾波，調(diào)諧回路，能量轉(zhuǎn)換，控制等方面。定義2：電容器，任何兩個彼此絕緣且相隔很近的導(dǎo)體（包括導(dǎo)線）間都構(gòu)成一個電容器。
    電容與電容器不同。電容為基本物理量，符號C，單位為F（法拉）。
    通用公式C=Q/U平行板電容器專用公式：板間電場強(qiáng)度E=U/d ，電容器電容決定式 C=εS/4πkd
    隨著電子信息技術(shù)的日新月異，數(shù)碼電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代速度越來越快，以平板電視（LCD和PDP）、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)等產(chǎn)品為主的消費類電子產(chǎn)品產(chǎn)銷量持續(xù)增長，帶動了電容器產(chǎn)業(yè)增長。