凹溝MOSFET(Recessed-chann 凹溝MOSFET的結(jié)�(gòu)見圖�,這種�(jié)�(gòu)�MOSFET就是�柵極�(shè)置在刻蝕出來的凹溝里� 這種MOSFET的優(yōu)�(diǎn)在于使等效的源和漏的�(jié)深減�,短溝道效應(yīng)得以減弱�
見圖�,這種�(jié)�(gòu)的MOSFET就是把柵極設(shè)置在刻蝕出來的凹溝里�
這種MOSFET的優(yōu)�(diǎn)在于使等效的源和漏的�(jié)深減�,短溝道效應(yīng)得以減弱�
這種�(jié)�(gòu)的缺�(diǎn)在于:對(duì)閾值電壓的控制比較困難(因?yàn)殚撝惦妷褐饕獩Q定于A和B�(diǎn)處的形狀和層的厚�),而且熱電子注入到SiO2中的可能性增加了(熱電子效應(yīng)�(dǎo)致的失效率增大)�
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