根據(jù)給定柵壓的漏源電壓,MOSFET 通常有三種工作模�。漏源電壓較小時,電流與電壓呈線性關(guān)�,這是歐姆區(qū);隨著漏源電壓的升高,引出電流開始飽�,這是飽和區(qū);隨著漏源電壓進一步升�,進入擊穿范圍,其中的電流隨著外加電壓的小幅增大呈指數(shù)增長,這是由碰撞電離導致的�此模型介紹如何使用瞬�(tài)求解器對 MOSFET 中的碰撞電離進行建模�
維庫電子�,電子知�,一查百通!
已收錄詞�168673�
IC型號索引� A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
©2025 維庫電子市場�(wǎng)(www.dzsc.com) �(jīng)營許可證編號�浙B2-20050339 版權(quán)聲明
十六年專注打造優(yōu)�(zhì)電子元器件采購網(wǎng)、IC交易平臺�
買家服務(wù)熱線�0571-85317666 | 買家服務(wù)部QQ� 賣家服務(wù)熱線�0571-85317586 | 賣家服務(wù)部QQ�