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MOSFET 擊穿
閱讀�1366時間�2020-11-06 16:38:09

根據(jù)給定柵壓的漏源電壓,MOSFET 通常有三種工作模�。漏源電壓較小時,電流與電壓呈線性關(guān)�,這是歐姆區(qū);隨著漏源電壓的升高,引出電流開始飽�,這是飽和區(qū);隨著漏源電壓進一步升�,進入擊穿范圍,其中的電流隨著外加電壓的小幅增大呈指數(shù)增長,這是由碰撞電離導致的�
此模型介紹如何使用瞬�(tài)求解器對 MOSFET 中的碰撞電離進行建模�

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