功率半導(dǎo)體器件是功率器件為半�(dǎo)體器�。它是為功率控制而優(yōu)化的電子組件,并且是功率電子�(xué)的中�。消�(fèi)類電子產(chǎn)品和�(jì)算機(jī)被用作與半導(dǎo)體器件相比較等,高電壓大電流的特征性處�,高頻操作是許多可能��
功率半導(dǎo)體元件是屬于模擬半導(dǎo)體的用于功率控制的半�(dǎo)體元�,通常稱為功率器件,包括整流二極管,功率晶體管(功�MOSFET,絕緣柵雙極晶體管(IGBT))�晶閘�和柵極。有�(guān)斷晶閘管(GTO�,三�雙向可控��(kāi)�(guān)元件�。不管是否能夠�(jìn)行通電控制,能夠使電流在一�(gè)方向上無(wú)損耗地(理想地)流�(dòng)的元件被稱為“閥裝置�,并且功率半�(dǎo)體元件屬于該�,并且被稱為“半�(dǎo)體閥裝置��
功率半導(dǎo)體元�
隨著半導(dǎo)體技�(shù)的�(jìn)�,處理大功率元件的響�(yīng)速度逐年提高,有助于整�(gè)功率控制裝置的小型化。同�(shí),從節(jié)能和低發(fā)熱量的觀�(diǎn)出發(fā),改善了低損耗性能,并且擴(kuò)大了�(yīng)用范圍�
額定電壓,并與應(yīng)用程序和�(shè)備的�(jié)�(gòu)的額定電流而變�,額定電�220 V�600V�1,200V�(duì)�(yīng)于電力供給線�440V電源線共同的,額定電流為1kA更多和更廣泛的從�1A。此外,在鐵路車輛中�3300 � 4,500V,變電站,例如控制為4,500V � 8,000V�(píng)�(jí)元件被使��
付出了多�(gè)元件在一�(gè)封裝中的功率模塊和控制電路和�(qū)�(dòng)電路和保�(hù)電路還模塊化,包括這樣的智能功率模塊是(IPM)也�
在高電壓�(yīng)用中,需要高速響�(yīng)�,同�(shí)還要增加�(duì)電磁噪聲和絕緣性能的抵抗力,因此,還使用了以光信號(hào)作為觸發(fā)源的半導(dǎo)體器�,例如光觸發(fā)晶閘��
�
包裝意義�
將設(shè)備連接到外部電路�
散發(fā)元件�(chǎn)生的熱量�
保護(hù)�(shè)備免受外部環(huán)境的影響�
功率器件的許多可靠方法與溫度有關(guān)。研究重�(diǎn)是:�
散熱性能
抵抗封閉的熱循環(huán)
包裝材料�**高工作溫�
低壓MOSFET同樣受到�(shù)脂的耐熱性的限制�
�(duì)于一般電�220向所述多�(gè)半導(dǎo)體封裝的,TO-247,TO-262,TO-3,d 2被打包,和類似物�
�(jié)�(gòu)改�(jìn)
IGBT�(shè)�(jì)仍在�(kāi)�(fā)�,并且電壓正在增加。在高功率頻�,MOS控制晶閘管是有保證的元件。主要的改�(jìn)遵循普通的MOSFET�(jié)�(gòu)�
寬帶隙半�(dǎo)�
有望成為一種以寬帶隙半�(dǎo)體替代硅的非凡功率半�(dǎo)體。目�,碳化硅(SiC�**�(qiáng)大。SiC肖特基二極管可作�1200V JFET在市�(chǎng)上買(mǎi)�,耐壓�1200V。它具有高電流和高速度。已�(jīng)�(kāi)�(fā)出用于高電壓�**�20 kV)的雙極型設(shè)�。由于該�(yōu)�(diǎn),碳化硅在高溫(高達(dá)400°C)下具有比硅低的熱阻,并且更易于冷卻。的氮化鎵(GaN)的也是有希望的高頻半導(dǎo)體元��
維庫(kù)電子通,電子知識(shí),一查百��
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