金屬氧化�半導(dǎo)��(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大�� P溝道硅MOS�(chǎng)效應(yīng)晶體�在N�硅襯�上有兩�(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)�(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道�
型號(hào):BCV62
�(biāo)�(zhǔn)包裝�3000
包裝:標(biāo)�(zhǔn)卷帶
處理器:2 PNP (雙)電流反射�
電壓-額定�30V
額定電流�100mA
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼:TO-253-4 , TO-253AA
器件封裝:SOT-143B
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕�(duì)值相等的情況�,PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此�,P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對(duì)值一般偏高,要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極�,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過程長(zhǎng),加之器件跨�(dǎo)�,所以工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半�(dǎo)體集成電�)出現(xiàn)之后,多�(shù)已為NMOS電路所取代。只�,因PMOS電路工藝�(jiǎn)�,�(jià)格便宜,有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技�(shù)�
維庫電子�,電子知�(shí),一查百��
已收錄詞�162542�(gè)