硅微條探測器 Silicon Strip Detector 硅微條探測器是在一個n型硅基的上表面附著一條條重摻雜p+型微�,將整個硅基底面作成重摻雜的n+層而制成的。整個硅微條探測器實際上就是一些平行的PN�(jié),中間夾雜的是PN�(jié)的耗盡�,也是探測的靈敏區(qū)�
硅微條探測器 Silicon Strip Detector 硅微條探測器是在一個n型硅基的上表面附著一條條重摻雜p+型微�,將整個硅基底面作成重摻雜的n+層而制成的。整個硅微條探測器實際上就是一些平行的PN�(jié),中間夾雜的是PN�(jié)的耗盡�,也是探測的靈敏區(qū)?! ≡诠栉l探測器上部的微條表面鍍有鋁膜,作為信號讀出條;整個底面也附有一層鋁,作為電極接觸。在探測器上加高�,使中間的耗盡層擴展到整個n型硅基,同時形成很強的電�。當帶電粒子穿過硅微條探測器的靈敏區(qū)�,將�(chǎn)生電子-空穴對。在強電場的作用�,電子向正極(底板)漂移,空穴向有負偏壓的微條漂�,于是便能在微條上讀出電荷信號,其后會經(jīng)過前置放大器將信號放�,作進一步的處理�?! 「鶕?jù)探測器系�(tǒng)測得的帶電粒子的信息,及帶電粒子在各個微條上的位置參�,可以確定各有關(guān)帶電粒子的運動軌跡及對撞后末�(tài)粒子的次級頂點等�?! ∮捎诠栉l探測器可以做的很�(300um左右),因此讀出信號用的時間很�,使探測器有很快的時間響�(yīng)(約5ns)。硅微條探測器是半導(dǎo)體探測器的一�,其能量分辨率比氣體探測器高一個數(shù)量級,比閃爍體探測器高的更多。同時由于半�(dǎo)體的平均電離能與入射粒子的基本能量無�(guān),探測器能有很好的線性范��
維庫電子�,電子知�,一查百��
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