国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來(lái)到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

�(kuò)散電�
閱讀�1734�(shí)間:2023-08-21 14:36:01

�(kuò)�電容是指PN�(jié)MOSFET半導(dǎo)�器件中由于摻雜區(qū)域與非摻雜區(qū)域的電荷集中分布而產(chǎn)生的電容。打破了其空間均勻性和�(jiǎn)單�,因此對(duì)于半�(dǎo)體元件的�(shè)�(jì)和模擬具有重要作��

介紹

PN�(jié)或MOSFET等半�(dǎo)體器件中的擴(kuò)散電容是由于不同類型材料的擴(kuò)散過(guò)程所致,即摻雜區(qū)域內(nèi)的少�(shù)載流子向非摻雜區(qū)域中�(kuò)散從而形成空間電荷區(qū),最終表�(xiàn)為電容效�(yīng)�

如何�(jì)�

�(kuò)散電容可以通過(guò)以下公式�(jìn)行計(jì)算:

  • CJ: �(kuò)散電容�

  • q: 電子電荷

  • εs: 硅的介電常數(shù)

  • Na: 摻雜區(qū)少數(shù)帶正離子表面濃度

  • Nd: 摻雜區(qū)多數(shù)帶電子表面濃�

  • Vbi: �(nèi)建電�(shì)

  • Va: 外加電勢(shì)

物理意義

�(kuò)散電容是半導(dǎo)體器件中重要的一�(gè)參數(shù),它可以影響器件的高頻性能和動(dòng)�(tài)特�。通過(guò)�(jì)算擴(kuò)散電容可以預(yù)估隨著外部電�(shì)變化,載流子的位置發(fā)生移�(dòng)�(duì)電容值的影響程度,為器件的設(shè)�(jì)者提供了便利�

維庫(kù)電子通,電子知識(shí),一查百��

已收錄詞�162542�(gè)