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非晶硅薄膜電�
閱讀�6719時間�2011-03-12 15:30:25

  非晶硅薄�電池是將非晶硅以薄膜的形式沉積在載體上形成的太陽能電�,其薄膜就是非晶硅太陽能電�,即相對于多晶�太陽能電�, 不過非晶硅電池非常薄.它包含PIN�(jié)�(gòu)�

�(fā)電原�

  氫基薄膜硅電池結(jié)�(gòu)處于TCO透明�(dǎo)電層和背電極之間,薄膜電池的各層�(jié)�(gòu)都沉積在一塊玻璃基底之上,氫基薄膜電池包含兩個PIN連結(jié)�,總共六個沉積層。P層相當于負電�,N層相當于正電�,而I層則是吸收層。整個PIN連結(jié)體就是一個半�(dǎo)體二極管,I層通過吸收光子后就會促使電子從一個能量級躍升到另一個能量級�,從而生成一個有活性的帶正電的電子和離子,在電池內(nèi)部電勢差的影響下,正電子會流向P層,負電子會流向N�,從而產(chǎn)生一個電勢差。正電極與透明�(dǎo)電層相�,負電極與背電極相連,這樣兩個PIN/PIN�(jié)�(gòu)通過串聯(lián)的方�,增加了電壓�

�(yōu)�

  非晶硅太陽電池有較好的光譜響�(yīng)特�,在� 光強下有更好的轉(zhuǎn)換效率,在陰雨天氣和沙塵天氣仍然可以繼續(xù)工作,因此其單位功率累計�(fā)電量比晶體硅大�
  非晶硅的禁帶寬度較大,約�1.7eV(單晶硅材料的能帶寬度為1.12eV,砷化鎵的能帶寬度為1.4eV),所以非晶硅電池要比單晶硅和砷化鎵電池具有更好的抗輻射�、高的充電效率(由于其特殊的溫度特性)
  非晶硅薄膜太陽電池的抗輻射能力高于單晶硅電池和砷化鎵電池50-100�,而且多結(jié)非晶硅太陽電池具有更高的抗輻射能��
  在同樣的工作溫度下,非晶硅太陽電池的飽和電流遠小于單晶硅太陽電池和砷化鎵太陽電池,而短路電流溫度系�(shù)卻高于晶體硅電池�1倍,約為 40mA/�?cm-1,這十分有利在較高溫度下保持較高的Voc和FF�

�(fā)展前�

  制造太陽能光伏板組件原材料可分為三�:單晶�、多晶硅及非晶硅薄膜。目�,非晶硅薄膜因其生�(chǎn)成本�,以及更加�(huán)�,正受到越來越多的�(guān)��
  在美�,非晶硅薄膜電池的市場占有率正不斷提升,而多晶硅電池的市場占有率則呈�(xiàn)持續(xù)下降�(tài)��
  �(jù)資料顯示薄膜太陽能電�2015年的�(fā)電量將達�26GW,銷售額將超過200億美��2015年前太陽能電池發(fā)電量的一半以上將來自薄膜太陽能電��

維庫電子�,電子知識,一查百��

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