時間�2025/5/7 16:23:12
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211CC2S1160P是一款高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應用于開關電源、電機驅動和DC-DC轉換器等領域。該型號以其高效率和低導通電阻而著�，能夠在高頻工作條件下保持出色的性能表現(xiàn)�
10863984B可能是該芯片的一個具體批次編號或者封裝標�，通常用于追蹤生產信息和質量控��
類型：N溝道 MOSFET
最大漏源電壓：60V
最大連續(xù)漏極電流�160A
導通電阻：1.5mΩ
柵極電荷�100nC
開關速度：超�
工作溫度范圍�-55℃至175�
211CC2S1160P具有非常低的導通電�，這使得它在高電流應用中能夠顯著降低功耗并提高整體效率�
此外，這款芯片還具備較高的開關速度，非常適合高頻開關電源和其他需要快速響應的應用場景�
其堅固的結構設計和寬廣的工作溫度范圍確保了即使在惡劣�(huán)境下也能�(wěn)定運��
封裝形式緊湊，便于安裝和散熱管理，進一步增強了其實用��
該芯片適用于各種工業(yè)和消費類電子產品中的功率轉換和控制場景，例如不間斷電�(UPS)系統(tǒng)、電動汽�(EV)中的電機控制�、太陽能逆變器以及家用電器的智能控制模塊等�
由于其卓越的電氣特性和可靠��211CC2S1160P成為許多工程師在設計高效能電路時的首選解決方案�
IRFP2907ZPBF
FDP157N06L
STW120N6F2
